CMM – SK hynix Newsroom 'SK하이닉스 뉴스룸'은 SK하이닉스의 다양한 소식과 반도체 시장의 변화하는 트렌드를 전달합니다 Fri, 08 Aug 2025 07:39:49 +0000 ko-KR hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.7.1 https://skhynix-prd-data.s3.ap-northeast-2.amazonaws.com/wp-content/uploads/2024/12/ico_favi-150x150.png CMM – SK hynix Newsroom 32 32 SK하이닉스, ‘FMS 2025’에서 AI·스토리지 미래 그려내… 혁신 기술 집중 조명 /fms-2025/ Fri, 08 Aug 2025 07:40:25 +0000 /?p=51560

▲ FMS 2025 SK하이닉스 부스 전경

SK하이닉스가 지난 5일부터 7일까지(미국시간) 3일간 미국 캘리포니아주 산타 클라라(Santa Clara)에서 열린 FMS(Future of Memory and Storage) 2025에 참가해 D램 및 낸드 제품과 AI 메모리 설루션을 선보이며 글로벌 메모리 시장에서의 리더십을 재확인했다.

올해로 19주년을 맞이한 FMS는 기존 Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)에서 AI 시대에 발맞춰 지난해부터 행사명을 the Future of Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치, 이하 FMS)로 새롭게 정의하고, D램을 포함한 메모리 및 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다.

SK하이닉스는 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로서 차세대 AI 혁신을 이끌 다양한 메모리 제품과 미래 기술을 선보였다. 특히, 기조연설과 발표 세션, 부스 전시를 유기적으로 연계하여 회사의 메모리 및 스토리지 설루션을 효과적으로 알리고, 글로벌 파트너사들이 SK하이닉스의 선도적인 기술 리더십을 직접 체감할 수 있도록 하며 교류를 한층 강화했다.

AI 시대를 겨냥한 메모리 라인업 총출동

이번 행사에서 SK하이닉스는 D램과 낸드 전 영역에서 글로벌 AI 메모리 시장을 이끌 차세대 제품을 대거 전시했다. 업계 최초로 주요 고객사들에 샘플을 공급한 ▲HBM4 12단을 비롯해 ▲LPDDR5X ▲CMM(CXL* Memory Module)-DDR5 ▲3DS* RDIMM ▲Tall MRDIMM* 등의 차세대 D램 14종과 176단 4D 낸드 기반의 데이터센터 eSSD인 ▲PS1010 E3.S, 238단 4D 낸드 기반의 ▲PEB110 E1.S는 물론, 회사의 첫 QLC* PC 향 SSD인 PQC21 및 최고 용량 데이터센터 eSSD 245TB PS1101 E3.L를 새롭게 선보이는 등 총 19종의 낸드 설루션 제품들도 만나볼 수 있었다.

* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스
* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 패키징을 완료한 고대역폭 메모리 제품
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품으로, 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품
* QLC: 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음

▲ SK하이닉스가 전시한 CMM-DDR5 데모

SK하이닉스는 제품 전시와 함께 성능 시연을 진행하며, 회사의 앞선 기술력과 차별성을 현장에서 생생하게 보여주었다. 먼저, 기존의 기본 서버 시스템을 기반으로 최대 50% 확장된 용량과 30% 향상된 메모리 대역폭을 제공하는 CMM-DDR5가 장착된 Intel Xeon 6 시연을 통해 실제 운용 환경에서의 활용 가능성과 시스템 확장성을 동시에 보여주었으며, 기존 단일 메모리 구성에 비해 성능과 비용 효율 측면에서 뛰어난 경쟁력을 갖추고 있음을 강조했다.

SK하이닉스는 미국 로스앨러모스 국립연구소*와 HPC 환경에서의 데이터 분석 성능 향상을 위한 차세대 스토리지 기술을 공동 연구하고 있다. 이번 데모에서는 데이터를 스스로 인지하고 분석 처리할 수 있는 Data-aware CSD* 기반의 Computational Storage(OASIS)를 개발해 실제 HPC 워크로드를 통해 데이터 분석 성능이 향상되는 효과를 시연하면서 관람객들의 큰 주목을 받았다.

* 로스앨러모스 국립연구소(Los Alamos National Laboratory, LANL): 미국 에너지부 산하 국립연구소이며, 국가 안보와 핵융합 분야를 비롯해 우주 탐사 등 다양한 연구를 수행한다. 특히, 2차 세계대전 당시 맨해튼 프로젝트에 참여해 세계 최초로 핵무기를 개발한 곳으로 알려짐
* CSD(Computational Storage Drive): 데이터를 직접 연산하는 저장장치

이번 데모에서는 SK하이닉스의 PIM* 제품군도 직접 확인할 수 있었다. 초당 16Gb(기가비트)의 속도로 데이터를 처리하는 GDDR6에 연산기능이 추가된 ▲GDDR6-AiM은 CPU/GPU와 함께 사용할 경우, 특정 조건에서 연산 속도가 최대 16배 이상 향상되는 제품이다. 또한 가속기 카드인 ▲AiMX*는 연산 처리 속도를 가속화하고 전력 소모를 줄여 대용량 데이터를 효율적으로 처리할 수 있는 고성능 저전력 설루션 제품이다.

* PIM(Processing-In-Memory): 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀 수 있는 차세대 기술
* AiMX(AiM based Accelerator): GDDR6-AiM 칩을 사용해 대규모 언어 모델(Large Language Model, 대량의 텍스트 데이터로 학습하는 인공지능으로 챗GPT가 이에 해당)에 특화된 SK하이닉스의 가속기 카드 제품

▲ CXL Pooled Memory 설루션을 활용해 시연 중인 Memory Centric AI Machine 데모

마지막으로 Memory Centric AI Machine 데모에서는 Pooled Memory*를 활용하여 복수의 서버와 GPU들을 연결한 분산 LLM 추론 시스템을 선보였다. 네트워크 통신을 이용하는 LLM 추론 시스템 대비 CXL Pooled Memory 기반 데이터 통신을 사용할 경우 LLM 추론 시스템의 성능이 대폭 향상될 수 있음을 입증했다.

* Pooled Memory: 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들어 여러 호스트가 효과적으로 용량을 나누어 사용하여 전반적인 메모리 사용률을 높이는 기술

FMS 2025의 주요 연사로 참여해 차세대 AI 인프라 리더십 강조

SK하이닉스는 기조연설과 Executive AI 특별패널 참여 그리고 총 13번의 세션 발표 등 FMS 2025의 주요 연사로 참여해 차세대 AI 메모리 시장을 이끄는 글로벌 리더의 면모를 보여줬다.

SK하이닉스 김천성 부사장(eSSD PD 담당)과 최준용 부사장(HBM사업기획 담당)은 ‘Where AI begins: Full-Stack Memory Redefining the future’라는 주제로 기조연설을 진행했다. 김천성 부사장은 이번 기조연설에서 “AI 산업이 AI 학습에서 AI 추론으로 빠르게 전환됨에 따라 메모리 기술의 진화가 필수적”이라고 전하며 “SK하이닉스의 스토리지 설루션은 AI 추론 시나리오에서 데이터 집약적인 워크로드에 빠르고 안정적으로 액세스할 수 있도록 설계되어 있다”고 설명했다.

이어 최준용 부사장은 “높은 대역폭과 낮은 전력 소모라는 구조적 장점을 갖춘 HBM은 고객들의 다양한 요구를 충족할 수 있다”라며, “AI 시스템의 확장성과 TCO를 형성하는 두 가지 핵심 요소인 성능과 전력 효율성을 충족하기 위해 다양한 AI 환경에 최적화된 포괄적인 메모리 포트폴리오를 제공할 것”이라고 전했다.

3일간 이어진 세션 발표에서는 회사의 구성원들이 주요 강연자로 참석해 메모리 기술과 인프라 확장, 비휘발성 및 고효율 메모리 기술, AI 인프라와 LLM 학습 최적화, 데이터 분석 및 거버넌스, AI 기반 인재 관리 등에 대해 발표하며 차세대 AI 시장에 대한 인사이트를 공유했다.

또한, SK하이닉스 강선국 부사장(미주DRAM기술 담당)은 NVIDIA가 주관한 Memory and Storage Scaling for AI Inferencing에 대한 특별패널 토론에 참여해 AI 기술 동향과 산업 간 협력 방안에 대해 깊이 있게 논의했다. 그는 “AI 학습에는 원시 대역폭이 중요하지만, AI 추론에는 이를 넘어선 지능형 메모리와 스토리지 설루션이 필요하다”며, 초고성능 네트워킹과 스마트 메모리 기술이 AI 추론 처리량을 획기적으로 높일 수 있다고 강조했다.

이번 행사를 통해 SK하이닉스는 혁신적인 제품들을 다양하게 선보이며, 메모리 및 스토리지 분야에서의 뛰어난 기술 역량을 널리 알렸다. 앞으로도 AI 시대의 변화하는 요구에 부응하여 끊임없는 연구개발을 이어가고, D램과 낸드 전 영역에서 독보적인 AI 메모리 리더로서의 입지를 더욱 확고히 다져 나갈 계획이다.

]]> SK하이닉스, ‘Intel AI Summit Seoul 2025’ 참가… AI 시대 메모리 반도체 중요성 강조하며 글로벌 테크 리더십 선보여 /intel-ai-summit-seoul-2025/ Wed, 02 Jul 2025 06:30:55 +0000 /?p=50450

SK하이닉스가 지난 1일 개최된 Intel AI Summit Seoul 2025에 참가해 고성능 AI 서버와 스토리지 분야에서 차별된 메모리 설루션을 선보이며 메모리 반도체 분야의 글로벌 경쟁력을 다시 한번 입증했다. Intel AI Summit은 인텔(Intel)이 전 세계 24개 주요 도시에서 매년 정기적으로 개최하는 행사로 AI 산업의 잠재력과 미래 전략을 논의하는 자리이다. 올해는 ‘AX: Designing the Future with AI Innovation(AI개발의 혁신, 미래를 디자인하다)’라는 주제로 AI 기술의 최신 트렌드와 혁신적인 적용 사례를 공유하고, 산업 전반에 걸친 AI의 발전 방향을 함께 모색했다.

SK하이닉스는 지난해 세션 발표에 참가한 데 이어, 올해 Platinum Sponsor로 참가해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’를 주제로 전시 부스를 운영하며 AI 혁신을 선도해 나갈 메모리 제품과 기술을 소개했다. 특히, SK하이닉스의 캐릭터를 활용한 디자인으로 독보적인 경쟁력을 갖춘 다양한 제품과 기술력을 관람객들에게 보다 친근하게 전달했다.

혁신적인 AI 메모리 제품, 전문가들의 설명과 함께 선보여

이번 행사에서 SK하이닉스는 현존하는 HBM 제품 가운데 최대 용량인 36GB를 구현한 ‘HBM3E 12단’과 초당 2TB 이상의 데이터 처리 속도를 자랑하는 ‘HBM4 12단’을 선보였다. HBM4 12단은 AI 메모리가 갖춰야 할 세계 최고 수준의 속도를 구현한 제품으로 회사는 최근 업계 최초로 주요 고객사에 해당 제품 샘플을 공급했다[관련기사]. 무엇보다 TSV*, 어드밴스드 MR-MUF* 등 HBM에 적용된 기술을 알기 쉽게 표현한 3D 구조물을 전시해 많은 관람객의 이목을 집중시키며 AI 메모리 기술 리더십을 다시 한번 증명했다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* TSV(Through-Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술
* 어드밴스드(Advanced) MR-MUF: 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용되었으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술

SK하이닉스는 ▲RDIMM* ▲3DS* RDIMM ▲Tall MRDIMM* ▲SOCAMM ▲LPCAMM2 ▲CMM(CXL* Memory Module)-DDR5 등 글로벌 AI 메모리 시장을 선도할 차세대 제품을 대거 선보였다. 이 가운데 CMM-DDR5는 DDR5 D램에 CXL 메모리 컨트롤러를 더한 제품으로, 서버 시스템에 이 제품을 적용할 경우 기존 DDR5 모듈 대비 용량이 50% 늘어나고 제품 자체의 대역폭도 30% 확장돼 초당 36GB의 데이터를 처리할 수 있다.

* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품
* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 패키징을 완료한 고대역폭 메모리 제품
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품으로, 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품
* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음

뿐만 아니라, 176단 4D 낸드 기반의 데이터센터 eSSD*인 ▲PS1010 E3.S를 비롯해 238단 4D 낸드 기반의 ▲PEB110 E1.S, QLC* 기반 61TB(테라바이트) 제품인 ▲PS1012 U.2* 등 압도적인 성능의 eSSD 제품을 선보였다.

* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 서버나 데이터센터에 탑재되는 기업용 SSD
* QLC: 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음
* U.2: SSD 형태를 칭하는 폼팩터(FormFactor)의 일종으로 주로 서버나 고성능 워크스테이션(Workstation)에 사용되며 대용량 저장과 높은 내구성을 가짐. 특히 U.2는 2.5인치 폼팩터로 기존의 서버 및 스토리지 시스템과의 호환성이 뛰어나, 별도의 인프라 변경 없이도 고성능 SSD로 전환 할 수 있음

SK하이닉스는 이번 전시에서 관람객과의 소통을 강화하기 위해 전문가와의 대화 시간을 마련했다. RDIMM, CXL Memory, eSSD 등 총 3개 제품의 담당자들이 직접 참여해 각 제품에 대한 깊이 있는 설명과 질의응답을 통해 SK하이닉스의 기술 중심 기업 이미지를 한층 더 공고히 했다.

당일 행사에서는 인텔(The Open Path to Enterprise AI, 엔터프라이즈 AI로 가는 길)과 네이버클라우드(네이버클라우드가 만들어가는 AI 생태계), 레노버(Smarter AI for All, 모두를 위한 더 스마트한 AI), SK하이닉스의 기조연설을 포함하여 테크 기업 리더, AI 개발자, 스타트업, 정부 관계자 등 각 분야의 전문가들이 한자리에 모여 AI 기술 동향과 산업 간 협력 방안에 대해 깊이 있게 논의는 자리도 마련됐다.

SK하이닉스는 기조연설을 통해 AI 시대 메모리 반도체의 중요성을 강조하고 그에 따른 미래 비전을 공유했다. 정우석 부사장(Software Solution 담당)은 ‘New Opportunities in the Memory-Centric AI Computing Ear(메모리센트릭 AI 컴퓨팅 시대의 새로운 기회)‘ 주제로 발표를 진행하며, AI시대 폭발적으로 증가하는 데이터를 효과적으로 처리하기 위한 메모리 중심의 AI 컴퓨팅의 중요성과 이를 위한 SK하이닉스의 다양한 차세대 AI 메모리 기술들을 소개했다.

SK하이닉스는 “이번 Intel AI Summit Seoul은 AI 시대를 이끌어갈 회사의 AI 메모리 기술의 현재와 미래를 공유할 수 있는 뜻깊은 자리였다”며, “앞으로도 인텔과의 원팀 파트너십을 바탕으로 AI 생태계의 진화를 앞당기는 데 앞장서겠다”고 밝혔다.

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