AI메모리 – SK hynix Newsroom 'SK하이닉스 뉴스룸'은 SK하이닉스의 다양한 소식과 반도체 시장의 변화하는 트렌드를 전달합니다 Thu, 18 Sep 2025 00:24:49 +0000 ko-KR hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.7.1 https://skhynix-prd-data.s3.ap-northeast-2.amazonaws.com/wp-content/uploads/2024/12/ico_favi-150x150.png AI메모리 – SK hynix Newsroom 32 32 SK하이닉스 ‘델 테크놀로지스 포럼 2025’ 참가… 차세대 AI 시장 선도할 메모리 설루션 공개 /dtf2025/ Thu, 18 Sep 2025 01:00:39 +0000 /?p=53607

▲ 델 테크놀로지스 포럼 2025 SK하이닉스 전시 부스

SK하이닉스는 지난 17일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘델 테크놀로지스 포럼(Dell Technologies Forum) 2025’에 참가해 AI 시대를 선도할 다양한 메모리 설루션을 선보였다고 18일 밝혔다.

델 테크놀로지스 포럼은 매년 미국 라스베이거스에서 개최되는 ‘델 테크놀로지스 월드(Dell Technologies World)’와 맥을 같이하는 행사[관련기사]로, 미국 델 테크놀로지스(Dell Technologies)의 한국 지사가 주요 이해관계자들을 초청해 기술 세션, 제품 시연 및 쇼케이스 등을 진행하는 국내 최대 규모의 IT 컨퍼런스다. 올해 행사는 ‘Beyond the Limits of Imagination(상상 속 가능성, 그 한계를 넘어서)’을 주제로 열렸으며, 약 4천 명의 관람객이 이곳에 방문했다.

▲ SK하이닉스 부스에 전시된 AI 메모리 설루션

SK하이닉스는 이번 행사에서 ‘Guardians of the AI – Full Stack AI Memory Provider(인공지능을 지키는 수호자, 풀스택 AI 메모리 프로바이더)’라는 콘셉트 아래, AI 인프라를 완성할 제품 포트폴리오를 공개했다. 특히 캐릭터를 활용한 부스 디자인은 회사의 차별화된 기술 경쟁력을 친근하고 자연스럽게 체감할 수 있는 소재로, 많은 관람객의 호응을 얻었다.

▲ SK하이닉스 부스에 전시된 HBM 기술 3D 구조물

전시의 핵심은 단연 HBM* 라인업이었다. SK하이닉스는 지난 12일 ‘HBM4 12단’을 세계 최초로 개발해 양산 체제를 구축했다고 발표했다[관련기사]. 이 제품은 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리하며 세계 최고 속도로 AI 연산 시스템을 지원할 차세대 설루션으로 알려져 있다. 부스에는 HBM4 12단 제품과 함께 ‘TSV*’, ‘어드밴스드 MR-MUF*’ 등 HBM에 적용된 핵심 기술을 시각적으로 표현한 3D 구조물이 설치돼 관람객의 이목을 집중시켰다. 이와 함께 현존 최고 성능과 용량을 갖춘 ‘HBM3E’가 탑재된 엔비디아의 차세대 GPU 모듈인 ‘GB300(Grace Blackwell 300)’이 함께 전시됐다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* TSV(Through-Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 칩들을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술
* 어드밴스드(Advanced) MR-MUF: 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용되었으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술

▲ SK하이닉스 부스에 전시된 D램 및 D램 모듈 제품

D램 섹션에서는 초고속·저전력 특성이 강점인 ‘LPDDR5X*’가 눈길을 끌었다. 이 제품은 스마트폰, 태블릿, 노트북 등 모바일 기기에 최적화된 설루션으로, 최근 온디바이스 AI 확산과 함께 영향력을 넓히고 있다. 또, 여러 개의 LPDDR5X를 하나의 모듈로 묶어 저전력·고성능을 동시에 실현한 ‘LPCAMM2*’도 메모리 혁신을 이끌 제품으로 주목받았다.

* LPDDR5X: 저전력 동작 특성을 지닌 최신 모바일 D램 제품. 명칭 앞에 LP(Low Power)가 붙으며, LPDDR1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨
* LPCAMM2(Low-Power Compression Attached Memory Module): LPDDR5X 기반의 모듈 제품으로, 기존 DDR5 기반의 SODIMM(노트북/소형PC용 모듈) 2개를 대체하는 성능 효과를 가지면서 공간 절약과 저전력/고성능 특성을 구현

D램 모듈 라인업에서도 한층 강화된 포트폴리오가 공개됐다. SK하이닉스는 10나노(nm)급 6세대(1c)* 미세공정 기술을 적용한 ▲RDIMM* ▲CSODIMM*을 비롯해 ▲3DS* RDIMM ▲Tall MRDIMM* ▲SOCAMM* 등의 제품군을 선보이며 PC부터 AI 서버까지 다양한 애플리케이션에 적용될 수 있는 기술력을 드러냈다.

* 10나노(nm)급 D램 미세공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b-1c(6세대) 순으로 개발되어 왔으며, SK하이닉스는 2024년 8월 세계 최초로 1c 기술 개발에 성공했다
* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품
* CSODIMM(Compression Attached Small Outline DIMM): 기존 SODIMM 대비 더 얇고 작은 폼팩터로, AI PC나 고성능 노트북에서 고용량을 구현할 수 있도록 설계된 차세대 메모리 모듈
* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 패키징한 고성능 메모리 설루션
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동해 속도가 향상된 서버용 모듈 제품
* SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module): 저전력 D램 기반의 AI 서버 특화 메모리 모듈

▲ SK하이닉스 부스에 전시된 eSSD 및 cSSD 제품

스토리지 섹션에서는 eSSD*와 cSSD* 제품군이 관객들을 맞았다. SK하이닉스는 AI 서버 및 데이터센터 환경에 최적화된 ▲PEB110, ▲PS1010, ▲PS1012, ▲PS1101 등의 eSSD 라인업을 전시했다. 이중 ‘PS1012’는 QLC* 기반으로 61TB(테라바이트) 용량을 구현하고 PCIe* 5.0 인터페이스로 이전 세대 대비 두 배의 대역폭을 제공해 고용량·고성능이 요구되는 AI 인프라 환경에 최적화된 제품으로 눈길을 끌었다. 또한, 세계 최대 수준인 245TB 용량을 구현한 ‘PS1101’ 역시 폭증하는 데이터 수요에 대응하는 차세대 스토리지 설루션으로 눈도장을 찍었다. cSSD 제품인 PCB01은 초당 14GB(기가바이트) 연속 읽기, 12GB 연속 쓰기 성능을 구현해 고성능 온디바이스 환경에서의 활용 가능성으로 기대를 모았다.

* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 서버나 데이터센터에 탑재되는 기업용 SSD
* cSSD(Client Solid State Drive): PC, 태블릿 등 개인용 전자기기에 탑재되는 소비자용 SSD
* 셀(Cell)에 저장 가능한 비트(Bit) 단위에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음
* PCIe(Peripheral Component Interconnect express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스

한편, SK하이닉스 박정원 TL, 이교영 TL(SSD제품기획)은 ‘Key Things for AI Storage(AI 스토리지를 위한 핵심 과제)’를 주제로 발표를 진행했다. 이를 통해 AI 성능의 핵심인 cSSD 및 eSSD의 특징과 제품 라인업을 소개하고, 다가올 AI 시대에 요구되는 스토리지 기술과 이에 따른 시장 전망을 제시해 현장 참석자들의 높은 호응을 이끌었다.

SK하이닉스는 “이번 행사를 통해 델 테크놀로지스와의 파트너십을 강화하고, 자사의 풀스택 AI 메모리 프로바이더로서의 위상을 대외 알릴 수 있었다”며, “앞으로도 AI 서버, 데이터센터, 온디바이스 등 다양한 분야에서 혁신적인 메모리 설루션을 지속 선보일 계획”이라고 말했다.

]]> 2025 SK하이닉스 미래포럼 개최…차세대 AI 전략을 향한 대화와 통찰 이어져 /future-forum-2025/ Fri, 12 Sep 2025 05:00:00 +0000 /?p=53057

▲ SK하이닉스 미래포럼 현장

SK하이닉스가 지난 11일 경기 이천캠퍼스에서 ‘AI 시대, First Mover로서의 기술적 도약과 Paradigm 변화’라는 주제로 2025 SK하이닉스 미래포럼(이하 미래포럼)’을 열었다.

미래포럼은 글로벌 AI 시장의 트렌드와 변화를 조망하고 SK하이닉스 반도체 기술의 발전 방향을 논의하는 자리로, 회사의 미래 준비 역량을 강화하고 구성원이 빠르게 변화하는 AI 기술 흐름을 이해하며 향후 전략을 함께 탐색할 수 있는 자리이다. SK하이닉스는 작년에 이어 올해에도 미래포럼을 개최하며 연속성 있는 미래 준비에 대한 강한 의지를 보여주고, 전 구성원이 미래 기술에 대한 지식과 통찰력을 갖출 수 있도록 공유와 소통의 장을 지속적으로 마련해 나갈 것이라고 전했다.

이번 미래포럼에는 주요 경영진과 국내외 주요 대학 교수진 및 비즈니스 파트너가 참석해, 메모리·시스템 분야를 넘어 AI 모델과 서비스, 차세대 메모리 기술, 첨단 패키징 기술 등에 대해 열띤 토론을 펼치며 지식과 인사이트를 공유했다. 또, 온·오프라인으로 행사에 참석한 SK하이닉스 구성원은 빠르게 변화하는 AI 기술의 흐름을 체감하고, 앞으로 나아가야 할 기술 전략에 대해 논의하는 등 의미 있는 시간을 가졌다.

▲ SK하이닉스 미래포럼의 포문을 연 곽노정 대표이사 사장(CEO)

영상을 통해 미래포럼의 포문을 연 곽노정 대표이사 사장은 “SK하이닉스 미래포럼은 미래를 향한 깊이 있는 고민과 논의의 장이 필요하다는 갈증 속에서 시작되었다”며, “AI 모델, 인프라, 응용 서비스 등 AI 밸류 체인(Value Chain) 전체를 아울러 국내외 석학과 비즈니스 파트너와 함께 논의하며 입체적이고 살아있는 지혜를 구하고자 한다”고 밝혔다. 또, “기술, 비즈니스 모델, 일하는 방식까지 포괄해 ‘지속 가능한 First Mover가 되기 위한 SK하이닉스만의 딥 시퀀스(Deep Sequence)’를 설계하고 실행해야 한다”고 강조했다.

▲ SK하이닉스 미래포럼 오프닝 스피치를 진행하는 안현 개발총괄 사장(CDO)

이어 무대에 오른 안현 개발총괄 사장(CDO)은 “빠른 변화의 물결 속에서 기술과 비즈니스 모델, 그리고 일하는 방식 전반에 걸친 총체적 혁신을 통해 새로운 길을 열어가야 한다”고 말했다. 또한 “각 주제마다 조직의 경계를 넘어 내외부 전문가들이 함께 모여 기술의 변화와 허들을 극복할 방안을 치열하게 논의했고, 그 결과로 얻은 통찰을 미래포럼을 통해 공유하고자 한다”며 “기존의 틀을 잠시 내려놓고 새로운 관점과 아이디어들을 연결하는 시간을 되길 바란다”고 당부했다.

다양한 세션 속 심층 토의… 함께 그린 차세대 AI 비즈니스

이날 포럼에서는 총 4개의 아젠다와 2개의 패널 토의가 진행되었다. 첫 번째 아젠다에서는 UCSD 컴퓨터공학과 Jishen Zhao 교수, NVIDIA Dan Ernst 수석 디렉터와 SK하이닉스 강욱성 부사장(차세대PP&E 담당), 임형진 부사장(US AI DC Solutions 담당)이 전문가로 참여하였으며, Jishen Zhao교수, Dan Ernst수석 디렉터, 강욱성 부사장이 <AI 모델의 진화에 따른 우리의 미래 ‘Gen. AI부터 Physical AI, 그리고 그 이후’>를 주제로 발표를 진행했다.

두 번째 아젠다 <AI 혁신을 견인하는 실리콘 르네상스 ‘AI Memory와 Storage 혁신’>에서는 인공지능 반도체 스타트업 Rebellions 박성현 대표와 KAIST 유회준 교수, 서울대학교 이재욱 교수가 함께 리서치 후 ‘AI 시대, 메모리의 르네상스’의 주제로 서울대학교 이재욱 교수가 대표 발표를 진행하였으며, SK하이닉스 임의철 부사장(Solution AT 담당)이 ‘Memory & Storage Solution For AI Era’의 주제로 발표를 진행했다. 본 아젠다에서는 AI 알고리즘 및 시스템의 최신 트렌드와 해결 과제에 대한 설루션을 제안하며, AI 시대를 이끌어 갈 수 있는 풀 스택 메모리 & 스토리지(Full Stack Memory & Storage) 설루션을 제공해 나갈 것을 선언했다.

이어서 아젠다 1, 2의 전문가들이 함께 무대에 올라 권언오 부사장을 모더레이터로 하여 ‘시장 패러다임 변화와 기술 리더십 경쟁’, ‘기술 난제 극복을 위한 설루션’, ‘5~10년 뒤 변화 예측’을 주제로 패널 토의를 이어갔다. 참석자들은 AI 기술의 진화가 가져올 도전과 기회에 대해 깊이 공감하며, 기술적 난제를 극복하기 위한 혁신적 접근과 협력을 바탕으로 한 시너지 창출의 필요성을 강조했다.

▲ SK하이닉스 미래포럼 오후 개회사를 하는 차선용 미래기술연구원장(CTO)

오후 미래포럼은 SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO)의 개회사로 시작되었다. 차선용 미래기술연구원장은 “AI 모델의 진화와 반도체 기술의 혁신은 더 이상 별개의 이야기가 아닌, 서로의 한계를 확장하며 새로운 가능성을 열어가는 기술적 공생 관계”라고 강조했다. 이어서 “SK하이닉스는 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로서 AI가 필요로 하는 성능을 한발 앞서 예측하고 그 기반을 제공하는 데 집중하고 있다”며, “이는 우리 구성원 모두가 각자의 전문성으로 AI 혁명을 이끌고 있기 때문”이라고 덧붙였다.

이어진 세 번째 아젠다에서는 KAIST 유경식 교수와 SK하이닉스 손호영 부사장(Advanced PKG개발 담당)이 <빛으로 연결하는 미래 ‘CPO(Co-Packaged Optics) 기술 진화와 메모리 산업의 파급 효과’>를 주제로 발표를 진행했다. Si Photonics 기술의 동향과 주요 기술 유형 검토 결과를 공유하고, 이를 메모리 시스템 내부와 주변에 어떻게 적용할 수 있을지 검토했다. 또한, 각 응용 분야별로 필요한 기술을 점검하고, Architecture, Design, Device, Package 관점에서 앞으로 어떤 준비가 필요한지 제시했다.

네 번째 아젠다에서는 KAIST 이태억 명예교수와 장영재 교수, SK하이닉스 박상범 부사장(양산기반기술 담당), 정유인 부사장(MES 담당)이 <미래를 위한 Factory Intelligence ‘우리는 준비됐는가?’>라는 주제로 발표를 진행했다. 스마트 팩토리가 지향하는 목표와 앞으로 일어날 일하는 방식의 변화를 제시하고, 스마트 팩토리의 최고 단계인 Autonomous FAB 준비 현황과 핵심 기술, 그리고 예상되는 주요 과제를 공유하며 이를 극복하기 위해 필요한 기술적·조직적 협업의 중요성을 강조했다.

이어진 두번째 패널 토의는 ‘First Mover의 mindset과 Biz. Paradigm의 변화’에 대한 인사이트를 공유하는 자리로 구성되었다. 이 자리에는 Furiosa AI 백준호 대표와 BCG 박성훈 대표, KAIST(파네시아) 정명수 석좌교수(대표), SK하이닉스 이세호 부사장(미래메모리연구 담당), 김원호 팀장(경영기획), 민승기 팀장(R&D전략), 최원하 팀장(차세대PP&E), 김용기 전문강사(SKHU Faculty)가 참여했다.

▲First Mover의 생존 전략: 비즈니스 패러다임 전환의 실제 ▲패러다임 파괴자의 플레이 북: 우리는 어떻게 새로운 판을 짜는가 ▲차세대 비즈니스 패러다임을 여는 기술의 진화를 주제로 외부 전문가 3인의 발제 후, ‘First Mover의 정의’, ‘First Mover로 나아가기 위한 SK하이닉스의 저력’, ‘지속가능한 First Mover가 되기 위한 Do & Don’t’, ‘기존 Biz.와 Customized Biz의 차이점’, ‘고객가치추구형 Customized Biz를 위해 각자 위치에서 해야 할 일과 변화 예측’을 주제로 토론이 진행되었다.

▲ SK하이닉스 미래포럼에서 폐회사를 하고 있는 SKHU 홍상후 총장

포럼은 SKHU 홍상후 총장의 폐회사로 마무리됐다. 홍 총장은 “미래포럼을 통해 ‘First Mover’의 진정한 의미를 되새기며, 남들이 보지 못하는 가능성에 과감히 도전하고 누구도 가보지 않은 길을 개척해 새로운 비즈니스와 기술의 지평을 열어 업계와 세상을 더 밝게 이끌어 가야 할 우리의 역할과 책임을 다시 한번 확인했다”고 전하며, “오늘의 포럼은 끝이 아니라 새로운 패러다임을 여는 시작점이며, 우리 모두가 ‘First Mover’로서 새로운 미래를 함께 만들어 가야 한다”고 강조했다.

철저한 준비와 구성원 참여로 완성한 포럼, 차세대 전략으로 이어가다

SK하이닉스는 올해 초부터 미래포럼 준비를 시작해 C-Level 및 탑팀(Top Team)들의 토론을 거쳐 아젠다를 확정했으며, 총 5개월간 내외부 전문가의 치열한 스터디와 토론을 진행했다. 또, 아젠다 별로 국내외 최고 전문가를 섭외하고, 사내 유관 분야 전문가들이 함께 모여 지식과 경험을 융합한 인사이트를 도출하도록 했다.

SK하이닉스는 이번 미래포럼을 통해 얻은 양질의 지식과 통찰을 전 구성원에게 공유하고, SKHU 커리큘럼에도 적극 반영해 구성원 역량을 강화하고 지속적인 연구·개발을 통해 미래 반도체 시장 리더십을 이어갈 계획이라고 밝혔다.

]]> 차세대 반도체 인재들과의 만남, SK하이닉스 ‘2025 Tech Day’ 현장을 가다 /2025-tech-day/ Fri, 29 Aug 2025 01:30:27 +0000 /?p=52673

SK하이닉스가 주최한 리쿠르팅 행사 ‘2025 테크 데이(Tech Day)’ 현장은 말 그대로 ‘기술과 사람이 만나는 하루’였다. 캠퍼스 곳곳에 설치된 부스 앞에서는 참가자들이 현직 연구원들과 마주 앉아 이야기를 나눴고, 강의실 안에서는 실제 반도체 개발을 이끄는 임원들의 발표를 들으며 학생들이 진지하게 메모를 남겼다.

SK하이닉스는 반도체 핵심 R&D 석·박사 인재 확보를 위해 테크 데이를 매년 진행해 오고 있다. 올해는 8월 18일 한양대를 시작으로 서울대, 연세대, 고려대, 서강대, 포항공대(POSTECH)를 거쳐 마지막 행사는 9월 4일 한국과학기술원(KAIST)에서 열린다.

매년 반도체 유관 분야의 석·박사급 인재와의 교류를 이어온 테크 데이는 올해 ‘Memory, The Power of AI & Talent, The Power of SK hynix ’라는 슬로건 아래 기술 중심 행사로 변화했다. 특히 Tech Session이 대폭 강화돼 기술 임원과의 밀착 토론을 통해 실무 현장의 생생한 이야기를 나누는 기회가 마련됐다.

연구실에서 배우던 반도체, 실무진에게 듣고 묻다… 기술로 연결된 2025 테크 데이

2025년 테크 데이에서는 SK하이닉스의 핵심 기술 임원들이 각 대학을 직접 찾아 회사가 그리는 미래 기술 비전과 연구 전략을 발표했다. 단순한 강연을 넘어 ‘서로 묻고 답하는 자리’로 꾸며진 만큼 참가자들의 몰입도는 그 어느 때보다 높았다. 강연이 끝난 뒤에도 둘러싼 질문이 이어졌고 강의실 곳곳에서 깊이 있는 대화가 오갔다.

이번 행사는 ▲현업 선배와의 1:1 직무 상담 ▲핵심 기술 임원진의 특강으로 구성된 Tech Session ▲SK하이닉스의 조직문화와 커리어 방향을 소개하는 HR Session 등의 프로그램으로 채워졌다. 학생들은 현직자의 생생한 조언 속에서 현업와 연구를 연결 지어 고민하고, 연구실 밖 현실적인 이야기를 통해 진로에 대한 실마리를 찾는 시간을 가졌다.

오프닝은 SK하이닉스 차선용 미래기술연구원담당 부사장(CTO)의 환영사 영상으로 시작됐다. 차 부사장은 영상에서 “AI 시대로 패러다임이 전환되는 지금, 메모리는 차별적 가치를 제공하는 핵심 인프라”라고 강조하며, HBM4와 CXL 메모리 솔루션, PIM 등 차세대 기술을 통해 SK하이닉스가 AI 메모리 분야의 풀스택 리더로 도약하겠다는 회사의 비전을 제시했다. 이어 “전문성과 창의성을 갖춘 여러분과 같은 젊은 인재들이 SK하이닉스와 함께한다면 더욱 의미 있는 혁신을 이뤄낼 수 있을 것이라 확신한다”며 반도체 산업의 미래를 함께 설계하자는 진심 어린 메시지를 전했다.

▲ 연세대학교 ‘2025 테크 데이’ 오프닝에서 상영된 차선용 미래기술연구원담당 부사장(CTO)의 환영사 영상

현장의 기술 열기를 실감케 한 순간은, 임원들이 직접 나선 Tech Session이었다. Design, System, Advanced Packaging, Device & Process 등 4개 주요 기술 분야별로 진행된 Tech Session에는 핵심 기술 임원들이 연사로 참여해 각 분야의 기술 동향과 실제 연구 사례를 심도 있게 공유했다. 발표는 단순한 브리핑에 그치지 않고 실무 중심의 내용으로 구성돼 밀도 높은 토론으로 이어졌다. 참가자들은 임원들과의 직접 나눈 대화를 통해 연구가 현업에 어떻게 적용되는지에 대해 실감하며 진로에 대한 구체적인 그림을 그릴 수 있었다.

회사는 “임원진들이 인재의 중요성을 깊이 인식하고 있는 만큼 단순한 환영 인사를 넘어 프로그램 운영까지 실질적으로 참여했다”며 “기술 임원들이 쌓아온 깊이 있는 전문성과 미래 산업에 대한 통찰이, 연구에 몰두하고 있는 참가자들에게 진로와 연구 방향을 구체화하는 데 도움이 되기를 기대한다”고 전했다.

현장에 참가한 한양대학교 나노반도체공학과 석·박사 통합 과정 3년 차 송민수 학생은 “HBM의 미래 방향성을 기술 임원에게 직접 들으며 연구 아이디어를 새롭게 정리하는 계기가 됐다”며, “산업과 학문의 거리를 좁혀주는 뜻깊은 자리였다”고 말했다.

같은 학과 석사 과정 4기 이희구 학생도 “연구 중인 산화물 반도체 분야에서 구조적 접근의 필요성을 새롭게 인식하게 되었고, 편안한 분위기 덕분에 진로에 대한 확신을 얻을 수 있었다”며, “연구와 진로 모두에 실질적인 영감을 준 소중한 경험이었다”고 소감을 전했다.

채용을 넘어 관계로, 국내 이공계 인재와 함께 만드는 기술 소통의 장

SK하이닉스는 테크 데이를 단발성 행사로 끝내지 않고 우수 이공계 인재들과의 지속적인 기술 교류와 관계 형성을 위한 플랫폼으로 확장해 나가고 있다. 특히 올해는 테크 데이 운영 대상이 7개 대학으로 확대되며 보다 많은 이공계 인재들과의 접점이 마련됐다. 이를 통해 향후 다양한 방식으로 인재와의 소통을 이어갈 수 있는 가능성을 확인했다.

또한, 회사는 우수 대학 연구실을 대상으로 현직 팀장이 직접 주관하는 소규모 기술 세미나와 졸업생이 연구실에 방문하여 진로에 대해 상담해 주는 프로그램을 수시로 개최하고 있다. 이를 통해 우수 인재들과의 네트워킹뿐만 아니라 장학생 채용 등의 상시 인재 확보까지 기대하고 있으며 상시 교류를 확대하기 위해 연내 행사로 운영할 계획이다. 이처럼 테크 데이는 하루의 만남을 넘어 기술과 인재가 지속적으로 소통하는 기술 교류의 장이 되고 있다.

이번 행사를 기획한 신창엽 TL(Talent Acquisition)은 “AI 기술과 서비스가 빠르게 고도화될 수록, 우수한 인재 확보가 무엇보다 중요하다”며 “테크 데이는 기술 임원들이 축적해 온 전문성과 기술적 통찰을 넘어 기업 문화까지 공유할 수 있는 자리인 만큼 많은 인재들이 SK하이닉스를 더욱 가까이에서 이해하고 함께 성장하고 싶은 회사로 느끼는 계기가 되기를 바란다”고 말했다.

]]> [ONE TEAM SPIRIT] EP.5 역사에 또 다른 놀라움을 선사할 SK하이닉스의 미래비전 /one-team-spirit-ep5/ Thu, 12 Jun 2025 00:00:06 +0000 /?p=48820 1969년, 40만 명의 과학·기술자들은 불굴의 협력으로 달 착륙 프로젝트인 ‘아폴로 11호 미션’을 성공시키고 우주 탐사의 길을 열었다. 2003년, 20여 개국 과학자들은 13년간 국경 없이 협업한 끝에 ‘인간 유전체 프로젝트’를 마무리 짓고 의료계 패러다임을 바꿔놓았다. 원팀으로 하나가 되었을 때, 인류는 늘 새로운 역사를 만들어냈다.

2025년, 인류는 또 다른 역사의 변곡을 예고하고 있다. AI를 중심으로 한 일상과 산업의 재편이다. [ONE TEAM SPIRIT] 마지막 편에서는 글로벌 AI 메모리 생태계를 조성해 이 변화를 주도하고 있는 SK하이닉스에 주목하고, 하나된 힘으로 새로운 미래를 준비하는 과정을 자세히 살펴본다.

미래 준비를 위한 대규모 투자, SK하이닉스의 Next Step

SK하이닉스의 미래 준비는 지난 42년에 걸쳐 이뤄졌다고 해도 과언이 아니다. 1983년 반도체 1공장을 시작으로 산업에 뛰어든 SK하이닉스는 수십 년간 대규모 투자로 팹(Fab)을 증설하며, 미래 기반을 쌓는 데 꾸준히 힘을 실어 왔다.

2004년 300mm 웨이퍼 팹인 이천 M10 완공에 이어, SK하이닉스는 2008년과 2012년 각각 낸드플래시 생산을 주력으로 하는 청주 M11, M12를 완공했다. 대규모 투자는 이후에도 계속됐다. 회사는 총 46조 원을 투입해 2014년 이천 M14, 2018년 청주 M15, 2021년 이천 M16의 가동을 본격화하며 반도체 기술력과 생산 역량을 극대화했다.

물론 그 과정이 순탄하지만은 않았다. 특히 투자를 단행할 때마다 업계에선 우려의 목소리가 터져 나왔다. 200mm 웨이퍼 팹을 300mm 팹(M10)으로 개조할 당시 회사는 자금난에 시달리고 있었고, M14 준공 때는 공급 과잉과 업체 간 증설 경쟁에 대한 불안감이 시장 내 형성되고 있었다.

그럼에도 SK하이닉스는 ‘미래 준비’를 기치로 내걸며 승부수를 던졌는데, 결과적으로 이 결정은 생산력과 수익성 증대라는 결실로 이어졌다. M10은 장비 반입 3개월 만에 94.5%의 기록적 수율과 월 10만 장의 웨이퍼 생산이 가능한 핵심 거점이 되었고, M14는 고성능 D램 수요에 대한 적기 대응을 통해 이후 M15, M16으로 생산 역량이 확대되는 기반이 되었다.

SK하이닉스의 미래 준비는 이제 다음 스텝을 향하고 있다. AI 메모리 수요 폭증에 대응하고, AI 반도체 생태계를 완성하고자 회사는 무려 145조 원 이상의 대규모 투자를 결정했다. 그 일환으로 SK하이닉스는 2019년 용인 반도체 클러스터 조성에 120조 원을 투자한다고 밝혔으며[관련기사], 2024년에는 미국 인디애나 패키징 공장에 5조 원을[관련기사], 청주 M15X에 20조 원을 투자한다고 차례로 발표했다[관련기사].

용인에서 인디애나까지, 원팀으로 이어지는 AI 반도체 생태계

SK하이닉스는 AI 메모리 시장에서의 리더십을 더욱 확고히 하기 위한 핵심 가치로 ‘원팀 스피릿(One Team Spirit)’을 강조한다. 중심축인 용인 반도체 클러스터부터 차세대 메모리 생산 거점인 청주 M15X, 미국 인디애나 패키징 공장까지 모든 프로젝트에는 원팀의 가치가 잘 구현돼 있다.

원팀 스리핏, 용인반도체클러스터, 미국 어드밴스드 패키징 공장, M15X

먼저, 용인 반도체 클러스터에서는 소부장(소재·부품·장비) 기업과 함께 원팀 생태계를 조성하겠다는 SK하이닉스의 의지가 엿보인다. 2027년 5월 1기 팹 준공을 앞둔 이곳에는 50여 개사에 달하는 협력업체들이 입주할 예정이다.

또 여기에는 실제 팹과 유사한 환경을 구축해 협력사들이 제품 품질 및 양산 경쟁력을 높일 수 있는 미니팹*도 들어선다[관련기사]. 이처럼 회사는 기술 개발부터 양산에 이르는 전 과정에서 완벽한 원팀 시너지를 발휘해 혁신과 상생이 공존하는 생태계를 완성한다는 전략이다.

* 미니팹(Mini Fab): 용인 반도체 클러스터 내에 구축되어 실제 반도체 양산 팹과 동일한 환경에서 소부장 기업이 개발한 제품의 양산 신뢰성을 검증하는 역할을 하게 됨. SK하이닉스와 정부, 소부장 기업이 ‘삼위일체’가 돼 한국 반도체 경쟁력을 높인다는 의미로 ‘트리니티 팹(Trinity Fab)’으로도 불림

청주 M15X에서도 원팀의 가치는 빛난다. SK하이닉스는 2025년 11월 준공을 목표로 하고 있는 M15X를 통해 HBM을 비롯한 차세대 D램을 집중적으로 양산할 예정이다. 여기에는 이천에서 청주로 D램 생산 캐파(Capacity, 생산능력)를 한 차원 확장하겠다는 의도가 담겼다.

특히 M15X는 현재 TSV* 캐파를 확장하고 있는 M15와 인접해 있어 HBM 생산력을 극대화할 수 있다고 회사는 설명했다. 이천과 청주, 두 생산 거점의 원팀 시너지가 기대되는 대목이다.

* TSV(Through Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 위아래 칩을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술

한편, 원팀의 가치는 대한민국을 넘어 미국으로도 이어지고 있다. 지난해 SK하이닉스는 인디애나주에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 시설을 구축한다고 발표했다. 이곳은 2028년 하반기 완공이 목표이며, 양산 제품은 차세대 HBM으로 결정됐다.

미국 인디애나를 거점으로 택한 이유는 인프라 때문이다. 미국은 AI 빅테크 고객이 집중된 국가인 데다 인디애나주에는 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 위치해 있다. 글로벌 고객사, 현지 연구 기관, 파트너사와 원팀 시너지를 일으키기에 최적의 입지라는 게 회사의 판단이다.

향후 SK하이닉스는 풍부한 인적, 물적 인프라를 기반으로 협력을 펼치고, 고객의 다양한 요구에 대응하며 맞춤형(Customized) 메모리를 공급할 예정이다. 아울러 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하고, 차세대 HBM 등에서 새로운 혁신을 만들어 나간다는 계획이다.

이렇게 SK하이닉스는 이·청·용(이천·청주·용인) 삼각 축에서 미국 인디애나로 이어지는 AI 메모리 생태계 구축의 밑그림을 완성했다. 각 거점에서 발현된 ‘원팀 스피릿’은 앞으로 AI 산업의 미래를 떠받치는 강력한 힘으로 작용할 것이다. SK하이닉스는 이를 동력 삼아 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로서 AI 시대를 활성화하는 데 앞장서고, 인류에 새로운 미래를 제시한다는 비전을 그리고 있다.

]]> [ONE TEAM SPIRIT] EP.4 321단의 기적?! 낸드 기술로 시장에 우뚝 선 SK하이닉스의 집념 /one-team-spirit-ep4/ Thu, 05 Jun 2025 00:00:32 +0000 /?p=48724 SK하이닉스는 풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 도약하기 위해 D램은 물론 낸드플래시(NAND flash, 이하 낸드) 영역에서도 지속적으로 혁신하며 경쟁력을 강화하고 있다. 낸드는 셀*을 얼마나 높게 쌓느냐에 따라 저장할 수 있는 데이터의 양이 달라지는데, 이 층수를 높이는 것이 곧 경쟁력의 핵심이다.

[ONE TEAM SPIRIT] 4편에서는 압도적 경쟁력으로 세계 최고층 ‘321단의 기적’[관련기사]을 이룬 SK하이닉스의 낸드 스토리를 살펴보고, 그 속에 담긴 ‘원팀 스피릿(One Team Spirit)’에 주목해 본다.

* 셀(Cell): 반도체 안에 있는 가장 작은 단위의 데이터 저장 공간

초고층·초고용량 321단 4D 낸드의 탄생

SK하이닉스 플래시 메모리의 시작은 약 25년 전으로 거슬러 올라간다. 1990년대 후반, 8Mb(메가비트) 노어플래시(NOR flash)* 제품 개발에 성공한 SK하이닉스는 2000년대 초반까지 이 분야의 기술 고도화를 위한 연구에 집중했다.

* 노어플래시(NOR flash): 낸드와 달리 셀이 병렬로 연결된 구조의 플래시 메모리. 읽기 속도가 빠르고 데이터 안전성이 우수하며 신뢰성이 요구되는 특수 작업에 주로 쓰임. 단점은 대용량화가 어렵고 쓰기(저장) 속도가 느림

그러던 2002년 시장 트렌드가 대용량에 유리한 낸드로 기울자, SK하이닉스는 사업 방향을 과감히 전환한다. 뒤늦게 낸드 사업에 뛰어든 만큼 회사는 절치부심으로 연구에 매진해 2004년 512Mb 낸드로 시장에 첫발을 내딛고 3년 만에 글로벌 매출 3위에 오르는 성과를 달성하게 된다.

이후 SK하이닉스는 낸드 사업 확대에 더욱 속도를 내며 2007년 낸드 생산을 주력으로 하는 M11 팹(Fab)을 착공했고, 같은 해 ‘16Gb(기가비트) 낸드 기반 24단 멀티칩패키지(MCP)’, 이듬 해인 2008년 ‘32Gb 낸드’ 등을 차례로 개발하며 기술력과 내실을 다져나갔다.

2010년대 중반부터 회사는 셀을 빌딩처럼 높게 쌓아 올리는 3D, 4D 낸드 개발에 집중했다. 3D 낸드 기술은 셀을 평면에 빼곡히 배치하는 2D 기술 대비 용량, 속도, 안정성 측면에서 장점이 있었다. SK하이닉스는 이 분야 기술을 고도화하며 2017년 당시 업계 최고층인 ‘72단 3D 낸드’를 개발하고, 2018년 ‘96단 4D 낸드’를 세계 최초로 개발하는 데 성공했다.

4D 낸드 기술은 주변부(Peri.) 회로를 셀 하단부에 배치해 사용 면적을 줄여주는 기술이다. 비유하자면, 아파트 옥외 주차장을 지하 주차장으로 변경해 공간 효율을 극대화한 것과 같다. 이 기술을 고도화하며 128단, 238단으로 적층 혁신을 이룬 SK하이닉스는 2023년 초고층·초고용량 ‘321단 1Tb(테라비트) 4D 낸드’를 선보이고 이듬해 양산을 본격화했다[관련기사]. 손톱 크기의 칩 안에 수천억 개의 셀을 빼곡히 담은 이 제품을 통해 SK하이닉스는 낸드 기술 경쟁에서 다시 한번 우위를 입증했다.

SLC부터 QLC까지, 낸드 라인업의 완성과 원팀 스피릿

SK하이닉스의 낸드 경쟁력은 셀 저장 기술 발전에서도 나타난다. 낸드의 용량을 키우는 방법은 크게 두 가지다. 셀을 높이 쌓는 것과 하나의 셀 안에 담는 정보(bit, 비트)를 늘리는 것이다. 다시 말해 단수가 낮더라도 셀 하나에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다면, 고용량 제품 구현이 가능하다는 이야기다.

이에 SK하이닉스는 셀 하나에 최소 저장 단위인 1비트를 담는 SLC(Single Level Cell)부터 MLC(Multi Level Cell, 2비트), TLC(Triple Level Cell, 3비트), QLC(Quadruple Level Cell, 4비트) 등을 차례로 발전시키며 낸드 셀 내부 구조의 효율을 끌어올렸다.

2013년 출시한 ‘64Gb MLC 낸드’, 2017년 선보인 ‘256Gb TLC 3D 낸드’, 2019년 개발한 ‘1Tb QLC 4D 낸드’ 등이 주요 제품으로 꼽힌다. 이렇듯 회사는 속도가 우수한 SLC부터 저장 효율이 뛰어난 QLC까지 모두 성공적으로 개발해 다양한 고객 수요에 대응할 수 있는 라인업을 갖추게 된다.

이 모든 혁신을 성공적으로 완수한 배경에는 전 조직을 한마음 한뜻으로 움직이게 한 원팀 스피릿이 있었다. 셀 적층 기술과 셀 용량 확장 기술을 동시에 발전시키는 과정은 결코 쉽지 않은 도전이었다.

지난 수년에 걸쳐 연구개발 조직은 최적의 소자를 개발하고, 3D와 4D라는 새로운 구조를 설계하는 동시에 TLC/QLC 등의 셀 기술을 접목하며 기술 한계를 극복했다. 제조공정 조직은 수백 층의 셀 구조와 저장 능력이 높아진 셀이 안정적으로 생산되도록 정밀한 공정 기술을 개발했고, 후공정 조직은 새 제품에 적합한 패키징과 테스트 기술을 확보하며 최종 단계에서의 품질을 높였다. SK하이닉스가 321단 및 QLC 낸드를 구현해낸 기적은 이 같은 협업 속에서 꽃핀 결과물이었다.

낸드를 넘어, 설루션(Solution) 혁신과 원팀 스피릿

낸드는 단품으로도 판매되지만, 별도의 소프트웨어(SW)와 펌웨어(FW) 등을 결합한 설루션(Solution) 형태로도 공급된다. SK하이닉스는 독자적인 기술력을 바탕으로 AI 및 빅데이터 시대에 필요한 낸드 기반 설루션 제품인 UFS*, SSD 등을 개발하고 있다.

* UFS(Universal Flash Storage): 빠른 속도와 저전력 특징을 갖춘 모바일용 저장장치 규격으로, SK하이닉스가 지난 5월 세계 최초로 4.1 버전을 개발함

특히, SK하이닉스가 2024년 개발한 ‘ZUFS(Zoned UFS) 4.0’은 온디바이스 AI 환경에 최적화된 고성능 설루션으로, 존드(Zoned) 기술을 통해 유사한 특성의 데이터를 영역별로 저장·관리함으로써 처리 속도와 효율성을 높였다는 평가를 받는다.

SK하이닉스는 방대한 용량을 필요로 하는 AI 서버 및 데이터센터 시장에서도 존재감을 높이고 있다. 2024년 공개된 QLC 기반 61TB(테라바이트) 용량의 eSSD(기업용 SSD)인 ‘PS1012’에 이어, 321단 4D 낸드를 적용한 244TB 제품과 그 이상의 초대용량급 설루션 등이 개발되고 있는 중이다. 그 밖에도 2024년 공개된 AI PC용 cSSD(소비자용 SSD) ‘PCB01’ 등은 향후 온디바이스 AI의 학습과 추론을 가속하는 고성능 스토리지로 기대를 모으고 있다.

SK하이닉스는 서버, 데이터센터, 온디바이스 등을 아우르는 AI 메모리 설루션 라인업을 수년에 걸쳐 구축했다. 혁신의 원동력은 역시 원팀 스피릿이었다. 설루션 역량을 확보하기 위해서는 칩과 소프트웨어를 망라한 광범위한 개발 협력이 필수다. 저장 영역을 담당하는 낸드 개발 조직, 칩 제어를 위해 펌웨어와 소프트웨어를 개발하는 Solution 조직이 유기적으로 협력해야 하며, 최종 사용자 환경을 고려한 테스트 및 최적화 업무도 뒷받침돼야 한다. 자회사 솔리다임(Solidigm)과 합작하는 등 기업 간 협업도 회사가 한단계 더 도약하는 데 중요한 요소로 작용한다.

SK하이닉스의 기술력 진화를 향한 도전은 현재진행형이다. 원팀 스피릿을 통해 321단 4D 낸드와 이를 탑재한 스토리지 등 차별화된 선도력을 보여주고 있는 SK하이닉스는 풀스택 AI 메모리 프로바이더로서 미래 낸드 시장을 지속해서 개척해 나갈 것이다.

]]> 글로벌 기술 인재 확보로 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’ 비전 달성 목표… SK하이닉스, 2025 글로벌 포럼 성료 /sk-global-forum-2025-sketch/ Mon, 02 Jun 2025 01:00:03 +0000 /?p=48626

SK하이닉스가 30일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 ‘2025 SK 글로벌 포럼(이하 글로벌 포럼)’을 개최하고, 글로벌 인재들에게 AI 시대를 이끄는 회사의 기술 전략과 기업 문화를 공유했다.

글로벌 포럼은 SK하이닉스를 포함한 SK 주요 관계사가 미국 핵심 산업 분야의 현업 전문가와 주요 대학 인재를 초청해 자사 기술 경쟁력과 미래 비전을 공유하는 자리다. 2012년을 시작으로 매년 개최된 이 포럼은 글로벌 우수 인재와의 교류뿐만 아니라 채용까지 연계하는 주요 리쿠르팅 행사로 자리매김했다.

‘Memory : The Power of AI, Talent : The Power of SK Hynix’라는 슬로건 아래 진행된 이번 포럼에서, SK하이닉스는 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로의 도약을 목표로 한 미래 비전을 소개했다. 이와 함께, 주요 기술 및 제품 전시 공간도 마련해 참가자들이 SK하이닉스의 선도적인 기술 리더십을 직접 체감할 수 있도록 했다.

이번 포럼에는 곽노정 대표이사 사장(CEO, Chief Executive Officer), 김주선 AI Infra 사장(CMO, Chief Marketing Officer), 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer), 차선용 미래기술연구원장(CTO, Chief Technology Officer) 등 C레벨 경영진을 비롯해 최우진 부사장(P&T 담당), 정우표 부사장(NAND개발 담당) 등 기술 조직을 이끄는 주요 경영진들이 행사 전반에 적극적으로 참여해 눈길을 모았다.

곽노정 CEO는 포럼의 첫 순서로 진행된 General Session에서 기조 연설자로 무대에 올랐다. 곽 CEO는 “AI가 촉발한 세상의 변화는 올해 더욱 가속화될 전망이며, 그 변화의 중심에는 메모리 반도체와 SK하이닉스가 있다”고 말했다. 이어 “회사가 No.1 AI 메모리 프로바이더로 자리매김할 수 있었던 것은 각자의 자리에서 한마음으로 최선을 다해준 구성원들의 ‘원팀(One Team)’의 정신 덕분이며, AI 시대 반도체 산업의 핵심 경쟁력 역시 결국 사람이다”라며 AI 시대 인재 확보의 중요성에 대해 강조했다.

▲ General Session에서 연설을 펼치는 안현 사장

두 번째 연사로 나선 안현 사장은 SK하이닉스의 기술 경쟁력과 로드맵을 설명하고, 차세대 AI 메모리 기술의 중요성을 강조했다. 안 사장은 “SK하이닉스는 AI 데이터센터, 온디바이스, 엣지 컴퓨팅 등 다양한 환경에 최적화된 메모리 설루션을 지속 개발하고 있다”며 “SK하이닉스는 앞으로도 기술 혁신을 바탕으로 새로운 가능성을 제시하여 AI 시대 No.1 기업으로 위치를 공고히 하겠다”고 밝혔다.

이어서 진행된 Breakout Session에서는 SK하이닉스 주요 기술 임원들이 직접 회사의 기술 개발 방향과 핵심 분야별 연구 성과를 심도 있게 공유했다. 세션은 ▲고성능 메모리 설계(Advanced Memory Design) ▲어드밴스드 패키지 기술(Advanced Package) ▲공정 및 소자(Process & Device) ▲시스템 아키텍처(System Architecture) 등 총 4개 분과로 나누어 진행됐다.

각 세션에서는 낸드 설계의 과거·현재·미래 및 차세대 D램 기술의 혁신과 전망, 어드밴스드 패키지 기술의 미래, 기술 변곡점 극복을 위한 메모리 플랫폼 혁신 전략, 차세대 시스템 아키텍처의 비전과 진화 방향 등의 주제로 발표가 진행되었으며, 토론 및 질의응답 등을 통해 참석자 간의 활발한 논의와 교류가 이뤄졌다.

저녁 시간에는 기업문화 소개 및 참석자 간 소통을 위한 Networking Dinner 행사가 열렸다.

▲ Networking Dinner 행사에서 인사말을 전하는 신상규 부사장

SK하이닉스 신상규 부사장(기업문화 담당)은 인사말을 통해 “SK하이닉스가 경쟁력을 유지할 수 있었던 힘은 유연하면서도 강한, 우리만의 조직문화에 있다”며 “개개인의 역량을 모아 더 큰 기술력으로 만드는 ‘원팀문화야 말로 SK하이닉스의 진짜 동력”이라고 강조했다. 그리고 “AI 시대의 주역이 될 여러분과 함께 새로운 역사를 써 내려갈 수 있기를 기대한다”며 미래 성장에 필요한 글로벌 인재 확보의 중요성을 피력했다.

한편, 이번 포럼을 위해 마련된 전시 공간에는 ▲HBM* ▲AI 데이터센터 ▲온디바이스 등 세 가지 주요 영역에서 AI 혁신을 가속하는 메모리 제품과 기술이 소개됐다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨

HBM 섹션에서는 지난 3월 SK하이닉스가 세계 최초로 개발에 성공한 ‘HBM4 12단[관련기사]’과, 현존 최고 성능 및 용량을 갖춘 ‘HBM3E 12단’이 전시됐다. AI 데이터센터 섹션에서는 세계 최고 사양의 그래픽 메모리 ‘GDDR7’과 DDR5 D램 기반의 서버용 모듈 ‘DDR5 RDIMM*’ 및 ‘MRDIMM*’, CXL* 메모리 모듈 ‘CMM-DDR5’과 61TB(테라바이트) 고용량의 ‘PS1012’를 비롯한 eSSD* 제품군 등을 선보였다. 온디바이스 섹션에서는 ‘LPDDR5X’ ‘LPCAMM2’, ‘PCB01’, ’UFS 4.1’, ‘ZUFS* 4.0’ 등의 고성능·저전력 메모리 설루션들이 소개됐다.

* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품

* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품으로, 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품

* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음

* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 서버나 데이터센터에 탑재되는 기업용 SSD

* ZUFS: Zoned Universal Flash Storage. 디지털카메라, 휴대전화 등 전자제품에 사용되는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율이 향상된 제품

SK하이닉스는 “글로벌 경쟁력과 기술 리더십을 더욱 공고히 하기 위해서는, 글로벌 우수 인재들과의 만남과 교류가 그 어느 때보다 중요하다”며, “앞으로도 더욱 다양한 기회를 마련해, 글로벌 인재와 함께 반도체 산업의 미래를 만들어가겠다”고 밝혔다.

]]> [ONE TEAM SPIRIT] EP.3 “머리카락의 1만 분의 1이라고?” 미세공정의 끝판왕! SK하이닉스의 D램 기술 리더십 /one-team-spirit-ep3/ Mon, 26 May 2025 00:00:13 +0000 /?p=48215 SK하이닉스의 성공 신화의 밑바탕이 된 기술은 셀 수 없이 많지만, 그중에서도 가장 놀라운 것은 바로 ‘미세공정’이다. 육안으로는 보이지 않을 정도로 작은 회로를 더욱 세밀하게 만들어 내는 SK하이닉스는 압도적인 기술력으로 이미 글로벌 반도체 업계를 선도하고 있으며, 이러한 위상의 근간에는 ‘원팀 스피릿(One Team Spirit)’이 있다.

3편에서는 업계 최고 수준인 SK하이닉스의 미세공정 역량을 살펴보고, D램 산업을 이끌어온 원팀 스피릿이 발현된 순간들을 되돌아본다.

미세공정, 반도체 혁신의 ‘핵심 오브 핵심’

반도체 회로를 작게 만드는 미세공정은 기술 혁신에 있어 선택이 아닌 필수로 여겨져 왔고, 오늘날에도 중요한 경쟁력으로 꼽힌다.

미세공정이 중요한 이유는 반도체 성능 및 생산성과 직결되기 때문이다. 이 기술을 통해 반도체가 작아지면 같은 크기의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산하는 것이 가능해진다. 또한, 하나의 칩 안에 집적할 수 있는 트랜지스터 수가 늘어나 동일 면적에서의 데이터 처리 능력이 높아진다. 뿐만 아니라, 트랜지스터 등 소자의 크기가 작아져 칩 전체의 소비 전력과 발열량이 감소한다.

이처럼 처리 속도, 에너지 효율, 신뢰성까지 모두 끌어올리는 미세공정 기술을 SK하이닉스는 ‘원팀 스피릿’을 통해 세계 최고 수준으로 구현하고 있다.

기술 한계란? 결국 돌파해 내는 것

SK하이닉스가 걸어온 미세공정 기술개발의 역사는 ‘한계’와의 싸움, 그 자체였다. 1983년 처음 반도체 산업에 발을 들인 SK하이닉스는 후발주자였음에도 불과 4년 만인 1987년, 머리카락 100분의 1 정도로 얇은 1마이크론(μm)* 공정 개발에 성공했다.

* 마이크론(μm): 100만분의 1m(미터). 수치가 낮을수록 미세화 정도가 높아짐

회사는 여기서 멈추지 않고 연구개발과 투자를 이어가며 1997년 외환위기(IMF) 속에서도 머리카락 두께의 800분의 1 수준인 0.18마이크론 공정을 개발해 다시 한번 업계를 놀라게 했다.

미세공정은 계속해서 발전을 거듭해 오다 2000년대에 들어서는 10억분의 1미터(m)인 나노(nm) 단위에 이르게 된다. SK하이닉스는 회로 선폭을 더 얇게 줄이며 2006년 60나노급, 2009년 40나노급, 2010년 30나노급, 2012년 20나노급, 2018년 10나노급으로 기술력을 계속 고도화해 왔다.

그동안 업계에서는 2년마다 집적도(미세화)가 2배씩 높아진다는 ‘무어의 법칙(Moore’s Law)’이 통용되어 왔지만, 공정 난이도가 높아지면서 기술이 한계에 다다랐다는 우려가 커졌다.

SK하이닉스는 도전을 멈추지 않고 개발에 매진한 결과, 2024년 세계 최초로 10나노급 6세대(1c)* 기술을 확보하는 데 성공[관련기사]했다. 10나노 초반의 극미세화된 공정인 1c 기술은 무려 머리카락 두께의 1만분의 1 수준이며, 이를 기반으로 SK하이닉스는 성능 면에서 이전 세대인 1b 대비 동작 속도는 11%, 전력 효율은 9%의 개선을 이뤄냈다.

* 10나노급 6세대(1c): 10나노급 D램 공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b-1c 순으로 개발됨

1c D램 개발이 더욱 특별한 이유는 기술적 난이도가 급격히 높아지는 분기점이기 때문이다. 단순히 회로를 미세하게 그리는 차원을 넘어, 원자 단위의 물리적 한계, 전자 이동의 불확실성, 데이터 신호의 간섭 문제 등 수많은 난제가 여기서 발생한다. 이를 극복하기 위해 SK하이닉스는 광원의 파장이 짧아 더 세밀하게 회로를 그릴 수 있는 ‘극자외선(EUV)’ 노광 기술을 적극 도입하는 등 미세 패턴 형성의 정확도를 끌어올리며 1c 기술 개발에 성공했다.

이 밖에도, SK하이닉스는 D램 속도 성능을 높여주는 DDR(Double Data Rate) 기술을 업그레이드해 왔다. ▲1998년 64메가비트(Mb) SDRAM 양산 ▲2003년 세계 최초 1기가비트(Gb) DDR2 개발 ▲2007년 세계 최초 DDR3 인증 획득 ▲2009년 세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발 ▲2011년 30나노급 2Gb DDR4 D램 개발 ▲2013년 업계 최초 20나노급 LPDDR4 D램 개발 ▲2018년 10나노급 2세대 16Gb DDR5 D램 개발 ▲2020년 세계 최초 DDR5 D램 출시 등 회사는 시장을 선도하는 기록을 경신해 왔다.

이처럼 기술의 벽을 넘기 위해 SK하이닉스가 계속해서 앞으로 나아가게 한 원동력은 바로 모든 구성원이 하나로 뭉치는 원팀 스피릿이었다.

완벽한 하모니로 이뤄낸 역사적 성과

미세공정은 특정 조직이나 한 사람의 개인기만으로 개발할 수 있는 것이 아닌, 다양한 구성원들의 노력을 통해 완성되는 기술이다. 손톱만 한 칩 안에 캐패시터와 트랜지스터 등의 소자를 수십억 개 이상 구현해야 하고 이것들이 제대로 작동하게 하려면, 여러 분야의 전문가들이 한 몸처럼 움직여야 한다.

그중에서도 이 분야 선행 기술 확보는 SK하이닉스 미래기술연구원, D램 제품 기획 및 개발 등의 조직에서 담당한다. 이들은 미지의 영역을 개척하는 첨병 역할을 맡고 있다. 세상에 공개된 기술은 이미 수년 전부터 이들의 치열한 고민과 검토를 거쳤으며, 1c 기술의 태동도 바로 이곳에서부터 시작되었다.

이 기술을 실물로 구현하는 제조공정 조직의 책임도 막중하다. 회로를 작게 그리기 위해서는 웨이퍼에 패턴을 정밀하게 새기는 노광공정을 거쳐야 한다. 최근 극자외선(EUV) 공정으로 더 미세한 패터닝이 가능해졌고, 그만큼 반도체 집적도가 더 높아지고 있다.

이처럼 얇아진 회로를 입체적으로 구현하려면 식각공정을 통해 주변부를 정밀하게 깎아내는 작업이 필요하다. 이 공정은 미세화를 위해 꼭 필요한 부분만 남기는 과정인 만큼, 한번 잘못되면 되돌리기가 어려워 제품 수율과 품질에 직접적인 영향을 끼친다.

웨이퍼 위에 전기적 특성을 띠는 박막을 입혀 다음 공정의 ‘판’을 깔아주는 증착 공정도 중요하다. 특히, 초미세 회로를 구현하기 위해 원자 단위로 박막을 조절하는 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 방식 등이 여기서 사용된다.

또, 미세한 패턴 위에 필요한 물질(이온)을 정확한 위치와 깊이로 주입하는 확산 공정, 웨이퍼 상에 더 작은 불순물을 완벽하게 제거하고 표면을 정교하게 연마하는 세정 및 평탄화 공정 등이 전체에서 중요한 몫을 차지한다. 이어, 새로운 기술이 정상 작동할 수 있도록 칩 간 전기적 연결, 칩 내부 발열 제어, 제조된 샘플의 동작 테스트 등을 수행하는 P&T(Package & Test) 공정이 미세화의 한계를 넘어서는 키(Key)가 되어주고 있다.

하나의 제품이 바깥세상으로 나오기까지 이 과정은 수백 번씩 교차로 반복되고 있으며, 여기서 생기는 단 한 번의 실수는 기술의 성패를 좌우하는 결정적 요소로 작용한다. 모든 조직은 완벽에 가까운 정교함을 유지해야 하고, 서로 끊임없이 소통, 보완하는 것이 중요하다. SK하이닉스가 세계 최초로 1c 개발에 성공할 수 있었던 가장 큰 요인이 구성원들의 원팀 스피릿이라고 평가 받는 이유다.

1c 기술은 이전 세대보다 뛰어난 성능과 품질, 생산 효율성 등을 제공하며 또 다른 메모리 혁신을 이끌 것으로 전망된다. 또, AI 메모리인 HBM을 비롯해 서버 및 데이터센터용 모듈, 모바일용 LPDDR, 그래픽용 GDDR 등 모든 차세대 D램 제품군에 적용될 수 있어 앞으로 시장에서의 파급 효과가 클 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 현재 수준에 머무르지 않고, 전사 조직이 원팀으로 뭉친 협업 체계를 기반으로 미세공정 기술력을 계속 고도화하고 있다. 이를 통해 회사는 D램 시장 리더십과 함께 고객으로부터 가장 신뢰받는 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’ 위상을 강화해 나간다는 계획이다.

]]> SK하이닉스, DTW 25에서 AI·서버 시장 공략할 핵심 AI 메모리 선보이다 /dtw-25/ Thu, 22 May 2025 05:00:37 +0000 /?p=48104

SK하이닉스가 19일(미국시간)부터 나흘간 미국 라스베이거스에서 열린 DTW 25(Dell Technologies World 2025)에 참가해 AI 서버 및 PC에 최적화된 메모리 설루션을 선보였다.

DTW는 미국 전자기업 델 테크놀로지스(Dell Technologies, 이하 델)가 주최하는 컨퍼런스로, 미래 기술 트렌드를 한눈에 확인할 수 있는 자리다. ‘아이디어로부터 혁신을 가속하다(Accelerate from ideas to Innovation)’를 주제로 열린 올해 행사에서는 AI 혁신을 이끌어낼 다양한 제품과 기술이 공유됐다.

▲ SK하이닉스 부스에 방문한 많은 관람객들

SK하이닉스는 델 사(社)와 긴밀한 협력 관계를 바탕으로, AI 리더십을 굳건히 하고자 매년 이 행사에 참여하고 있다. 올해 회사는 ▲HBM* ▲CMM(CXL* Memory Module)-DDR5 ▲서버 D램 ▲PC D램 ▲eSSD* ▲cSSD* 등 6개 섹션으로 부스를 꾸리고, D램(DRAM)과 낸드플래시(NAND flash) 전 영역에서 독보적 경쟁력을 갖춘 제품들을 소개했다. 특히 AI 서버와 스토리지, PC 시장을 총망라한 제품으로 부스를 구성해 많은 관객의 호응을 이끌었다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음
* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 서버나 데이터센터에 탑재되는 기업용 SSD
* cSSD(Client Solid State Drive): PC, 태블릿 등 개인용 전자기기에 탑재되는 소비자용 SSD

HBM 섹션에서는 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리하며, AI 메모리에 요구되는 세계 최고 수준의 속도를 구현한 ‘HBM4 12단’, 현존 최고 성능 및 용량을 갖춘 ‘HBM3E 12단’을 공개했다. 이중 HBM4는 베이스 다이(Base Die) 성능을 개선하고 전력 소모를 줄이는 방향으로 개발 중인 차세대 HBM으로, 최근 회사는 세계 최초로 주요 고객사에 샘플을 제공하며 AI 메모리 리더십을 다시 한번 증명한 바 있다[관련기사].

이번 전시에서 회사는 HBM3E를 엔비디아(NVIDIA)의 최신 GPU(블랙웰) 모듈인 ‘B100’과 함께 전시하며 글로벌 고객사들과의 견고한 파트너십 또한 강조했다.

CMM-DDR5 섹션에서는 96/128GB(기가바이트) 고용량의 ‘CMM-DDR5’를 만나볼 수 있었다. 이 제품은 CXL 기술을 적용한 DDR5 메모리 모듈로, 기존 구성 대비 50% 확장된 용량과 30% 늘어난 대역폭을 자랑한다. 전시에서는 영상 데모 시연도 진행됐는데, 주요 CPU 제조사의 서버용 프로세서가 장착된 시스템에서 용량 확장의 한계를 돌파하면서도 안정적인 성능을 보여주며 많은 관객의 이목을 집중시켰다.

서버 D램 섹션에서는 DDR5 D램 기반의 서버용 모듈 라인업이 관객을 맞았다. 현장에서는 10나노(nm)급 6세대(1c)* 미세공정 기술이 적용된 ‘1c DDR5 RDIMM* 및 MRDIMM*’이 눈길을 끌었다. 이외에도 회사는 ‘DDR5 RDIMM(96GB)’, ‘3DS* DDR5 RDIMM(256GB)’, ‘DDR5 MRDIMM(96GB, 256GB)’ 등 AI 서버 성능을 극대화하고, 전략 소모를 줄여줄 D램 제품을 다수 선보였다.

* 10나노(nm)급 D램 공정 기술은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되어 왔으며, SK하이닉스는 2024년 8월 세계 최초로 1c 기술 개발에 성공했다.
* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품으로, 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품
* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 패키징을 완료한 고대역폭 메모리 제품

PC D램 섹션에서는 LPDDR5X* 여러 개를 하나의 모듈로 묶어 저전력·고성능을 구현한 ‘LPCAMM2’, 세계 최고 사양의 그래픽 메모리 ‘GDDR7’ 등 온디바이스 AI 시장에서 활약할 SK하이닉스의 주력 D램 제품을 확인할 수 있었다.

* LPDDR5X: 스마트폰과 태블릿, 노트북 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성을 갖고 있음. 규격 명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품

eSSD/cSSD 섹션에서는 차세대 낸드 제품이 대거 공개됐다. 특히 회사는 ‘PS1010’을 장착한 델 서버 시스템(R7625)을 선보였다. PCIe* 5세대 eSSD 제품인 PS1010은 176단 4D 낸드를 다수 결합해 만든 패키지 제품으로, 데이터 사용이 많은 AI 구동 및 데이터센터에 최적화됐다고 회사는 설명했다.

이밖에 ‘PS1012’, ‘PCB01’ 등도 AI 서버 및 PC 시장을 이끌 SSD로 소개됐다. 61TB 대용량을 자랑하는 PS1012는 PCIe 5세대/QLC* 기반의 eSSD로, 급격히 증가한 고용량 eSSD 수요에 대응할 제품으로 주목받고 있다.

* PCIe(Peripheral Component Interconnect express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스
* 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음

PCB01은 초당 14GB 연속 읽기, 초당 12GB 연속 쓰기 속도를 자랑하는 cSSD 제품으로, 이번 전시에서는 데모 시연도 살펴볼 수 있었다. 인텔 PC용 프로세서가 장착된 데스크톱 환경에서 뛰어난 성능과 호환성을 보여준 이 제품은 AI PC 등 온디바이스 AI 시장에서 활약할 것으로 기대를 모으고 있다.

한편, SK하이닉스는 발표 세션을 통해 AI 메모리 및 차세대 기술에 대한 인사이트를 공유하기도 했다. 이교영, 박정원 TL(SSD제품기획)은 ‘AI 스토리지에서 고려해야 할 것(Key things to consider for your AI storage)’을 주제로 발표를 진행했고, 산토시 쿠마르(Santosh Kumar) TL(DRAM TP)은 ‘AI 시대에 CMM 제품이 필요한 이유(Why do we need CMM device in AI era?)’란 주제로 CMM 제품의 미래가치를 강조했다.

SK하이닉스는 “DTW 25를 통해 AI 서버와 PC는 물론 산업 전반에서 AI 메모리 및 스토리지에 대한 수요가 빠르게 증가하고 있음을 확인했다”며 “앞으로도 고객과의 원팀 파트너십을 바탕으로 기술 협업을 강화하고, 고성능·고품질 설루션을 적시에 제공해 나가겠다”고 밝혔다.

]]> SK하이닉스, ‘COMPUTEX 2025’ 참가… HBM4와 AI 메모리 포트폴리오 공개 /computex-taipei-2025/ Thu, 22 May 2025 01:00:09 +0000 /?p=48099

▲ 컴퓨텍스 2025에 마련된 SK하이닉스 부스

SK하이닉스가 20일부터 23일까지 나흘간 대만 타이베이에서 열리는 ‘컴퓨텍스 타이베이 2025(COMPUTEX TAIPEI 2025, 이하 컴퓨텍스)’에 참가해 AI 서버·PC·모바일 등을 아우르는 폭넓은 제품 포트폴리오를 공개했다.

컴퓨텍스는 글로벌 IT 기업이 모여 최신 기술과 설루션을 소개하는 아시아 최대 규모의 ICT 박람회로, AI, 데이터센터 등 주요 산업의 혁신 기술과 트렌드가 공유되는 자리다. ‘AI Next’를 주제로 열린 올해 행사에는 1,400여 기업이 참가해 AI와 로봇, 차세대 기술, 미래 모빌리티와 관련한 다양한 전시를 진행했다.

이번 행사에서 SK하이닉스는 ‘MEMORY, POWERING AI AND TOMORROW’를 슬로건으로 ▲HBM for AI ▲Data Center ▲Mobile/PC ▲Ethic & ESG 등 4개 섹션의 부스를 꾸리고 다양한 AI 메모리 설루션을 선보였다.

HBM for AI 섹션에서 SK하이닉스는 ‘HBM4* 12단’과 ‘HBM3E 12단’을 공개했다. 이와 함께 회사는 내년을 목표로 개발 중인 HBM4 16단의 로드맵을 제시했다. HBM4는 현존 최고 속도인 초당 2TB(테라바이트)가 특징인 차세대 HBM으로, 지난 3월 SK하이닉스는 12단 제품 샘플을 주요 고객사에 업계 최초로 공급했다[관련기사]. HBM과 로직(Logic) 반도체를 연결해주는 베이스 다이(Base-die) 성능 개선 및 전력 감축을 목표로 개발 중인 HBM4 12단은 올 하반기 양산에 들어갈 예정이라고 회사는 밝혔다.

이밖에도, SK하이닉스는 엔비디아의 AI 서버용 GPU 모듈인 GB200과 여기에 탑재되는 HBM3E 12단 36GB(기가바이트)를 함께 전시했다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨

Data Center 섹션에서는 AI 서버에 장착돼 성능을 극대화하고 전력 소모를 줄여줄 서버 D램 모듈과 eSSD(기업용 SSD) 제품이 공개됐다. 서버 D램 모듈로는 초당 8Gb(기가비트) 속도의 D램이 탑재된 64GB~256GB 용량의 ‘RDIMM*’ 라인업과 초당 12.8Gb 속도의 D램이 들어간 96GB~256GB 용량의 ‘MRDIMM*’ 제품군, 초당 7.5Gb 속도의 ‘LPDDR5X*’가 도입된 128GB 용량의 SOCAMM* 등이 소개됐다.

특히 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 10나노(nm)급 6세대(1c)* 미세공정 기술이 적용된 DDR5 기반 고성능 모듈이 많은 주목을 받았다고 회사는 설명했다.

* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품
* LPDDR5X: 모바일용 저전력 D램 규격인 LPDDR의 7세대(5X) 제품으로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨
* SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module): 저전력 D램 기반의 AI 서버 특화 메모리 모듈
* 10나노(nm)급 D램 공정 기술은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되어 왔으며, SK하이닉스는 2024년 8월 세계 최초로 1c 기술 개발에 성공했다.

초고용량 스토리지 설루션인 eSSD 존에서는 0.5TB부터 최대 61TB에 이르기까지 다양한 용량의 제품들이 모습을 드러냈다. 특히 238단 4D 낸드 기반의 PCIe* 5세대 제품인 ‘PEB110’과 QLC* 기반 61TB의 고용량을 구현한 ‘PS1012’ 등이 AI 데이터센터에 최적화된 성능을 제공할 것이라고 회사는 강조했다.

* PCIe(Peripheral Component Interconnect express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스
* 낸드플래시 셀(Cell)에 몇 비트를 저장하는지에 따라 SLC(Single Level Cell, 1비트)-MLC(Multi Level Cell, 2비트)-TLC(Triple Level Cell, 3비트)-QLC(Quadruple Level Cell, 4비트)로 나뉨

Mobile/PC 섹션에서는 온디바이스 AI를 이끌 D램 및 낸드 제품이 관객들을 맞았다. 모바일용 제품으로는 초당 10.7Gb 속도의 저전력 D램 ‘LPDDR5X’, 238단 4D 낸드 기반의 스토리지 ‘UFS 4.1’ 등이 공개됐고, PC용 제품으로는 1c DDR5 D램 기반 ‘CSODIMM*’, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 ‘LPCAMM2*’, AI PC 등에 탑재되는 고성능 SSD ‘PCB01’, 단일 칩 기준으로 세계 최고 속도인 초당 28Gb의 그래픽 D램 ‘GDDR7’ 등이 소개됐다.

* CSODIMM(Compression SODIMM): PC에서 사용하는 초소형 모듈 ‘SODIMM(Small Outline DIMM)’을 기반으로 해 새롭게 만든 폼팩터. SODIMM 대비 고성능/고밀도를 구현할 수 있음
* LPCAMM2(Low-Power Compression Attached Memory Module): LPDDR5X 기반의 모듈 설루션 제품으로 기존 DDR5 SODIMM 2개를 LPCAMM2 1개로 대체하는 성능 효과를 가지면서 공간을 절약하고 저전력과 고성능 특성을 구현

또, SK하이닉스는 기가바이트(GIGABYTE), 에이수스(ASUS), 레노보(Lenovo) 등 글로벌 파트너사들의 하드웨어에 장착된 자사 D램 및 낸드 제품을 선보이며, 노트북부터 서버까지 폭넓은 수요에 대응할 수 있는 포트폴리오를 갖췄다고 설명했다.

이외에도 SK하이닉스는 Ethic & ESG 섹션에서 ‘2025년 세계에서 가장 윤리적인 기업(World’s Most Ethical Companies®)’에 선정된 사례를 들며, 글로벌 최고 수준의 윤리경영을 통해 이해관계자와 신뢰를 강화하고 있다고 강조했다[관련기사].

SK하이닉스는 “이번 행사에서 회사의 AI 메모리 리더로서의 인식을 높이고, 글로벌 기업과의 파트너십을 더 견고히 할 수 있었다”며 “AI 서버와 데이터센터는 물론, 온디바이스 AI 등 다양한 분야에서 고객과의 협업을 통해 최적의 제품을 적기에 공급, 풀스택 AI 메모리 프로바이더로서의 위상을 강화해나갈 것”이라고 말했다.

]]> [ONE TEAM SPIRIT] EP.2 세계 최초인데 흑역사였던 SK하이닉스 HBM 1등 스토리 /one-team-spirit-ep2/ Thu, 15 May 2025 00:00:36 +0000 /?p=47397 SK하이닉스가 AI 메모리 리더십을 확고히 하는 데 결정적인 역할을 한 제품은 단연 HBM*이다. 세계 최초 최고 성능의 HBM 개발, AI 메모리 시장 1등 위상 확보 등의 배경에는 SK하이닉스 고유의 ‘원팀 스피릿(One Team Spirit)’이 있다.

2편에서는 모든 구성원이 합심해 HBM 기술 혁신을 이룬 원동력, 원팀 스피릿이 빛났던 순간을 되짚어 보고, 이 제품에 담긴 성공과 실패 그리고 협력의 성과를 살펴본다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨

HBM을 향한 16년의 집념

원팀스피릿, 원팀, 기업문화, HBM

시작은 2000년대 중반에 떠오른 TSV*였다. TSV는 HBM을 구현하고 메모리 성능과 공정 미세화의 한계를 극복할 해법으로 주목받은 반면, 누구도 선뜻 개발에 나서지 못한 기술이었다. 인프라 구축이 어렵고, 성공도 장담할 수 없었던 탓이다. 가능성에 투자하느냐, 안정을 추구하느냐의 기로에서, 업계는 ‘눈치 싸움’만 벌이고 있었다. 먼저 행동에 나선 것은 SK하이닉스였다. 회사는 TSV, WLP* 등 후공정 기술의 파급력을 미리 내다봤고, 2009년 무렵 개발에 착수했다. 16년의 집념이 시작된 순간이었다.

* TSV(Through Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술
* WLP(Wafer Level Packaging): 웨이퍼를 칩 단위로 잘라 칩을 패키징하는 기존의 컨벤셔널 패키지(Conventional Package)에서 한 단계 발전한 방식으로, 웨이퍼 상(Wafer Level)에서 패키징(Packaging)을 마무리해 완제품을 만드는 기술

TSV를 본격적으로 활용한 시점은 2013년이었다. 이 즈음 GPU(그래픽 연산장치)와 함께 쓸 고성능 니어 메모리*의 수요가 감지됐다. 이에 회사는 TSV와 WLP 기술을 활용해 세계 최초 HBM(1세대)을 내놓게 된다. 안타깝게도 첫 도전은 성공도 실패도 아닌 채로 끝이 났다. ‘너무 빨랐다’는 게 발목을 잡았다. 당시 HPC(고성능 컴퓨팅) 시장은 HBM이 주류로 부상할 만큼 무르익지 않은 상황이었다. 시장 한계에 부딪혀 잠시 주춤하는 사이, HBM 개발 부서에는 ‘오지’라는 오명이 붙었고, HBM에 대한 시장의 기대도 수그러들기 시작했다.

* 니어 메모리(Near-memory): 연산장치(프로세서)에 가깝게 밀착된 메모리로, 더 빠른 데이터 처리가 가능함

그럼에도 회사는 포기할 수 없었다. ‘HPC 시대가 곧 올 것이며, 그 시점에 최고 제품을 만든 회사가 승기를 잡는다’는 확신 때문이었다. 그동안 쌓아온 기술력 또한 HBM을 포기할 수 없는 이유였다. 이에 구성원들은 최고 성능의 HBM을 개발하겠다는 목표 아래 다시 힘을 모았다.

2020년 마침내 판세가 뒤집혔다. HBM2E(3세대), HBM3(4세대)를 우직하게 밀어붙였던 회사는 AI 시대 개막과 함께 반전에 성공했다. AI 및 HPC 수요가 증가하고 HBM 시장이 폭발적으로 성장한 것이 기폭제였다. 한발 앞서 기술력을 쌓아온 SK하이닉스는 점유율을 빠르게 높여나가며 HBM 시장 1위라는 타이틀을 거머쥐게 됐다. 2009년부터 이어진 집념과 혜안, 그리고 D램칩 개발 담당인 전공정 분야와 TSV 등 패키징 담당인 후공정 분야가 원팀 스피릿으로 똘똘 뭉쳐 이룬 값진 성취였다.

세계 최강 HBM3E, 불가능을 가능으로 바꾼 원팀의 힘

원팀스피릿, 원팀, 기업문화, HBM

HBM2E로 HBM 주도권을 확보한 것은 시작에 불과했다. 2021년 초당 819GB(기가바이트) 데이터를 처리하는 HBM3로 기술 우위를 입증한 SK하이닉스는 1위 굳히기에 들어갔다. 특히 D램칩 적층 수를 늘리며 최고 용량을 경신했는데, 2023년 4월에는 36GB 용량의 HBM3 12단을 내놓으며 기술 한계를 돌파했다.

같은 해 8월에는 HBM3E(5세대)를 발표하며 반향을 일으켰다. HBM3 12단을 개발한 지 4개월 만에 거둔 성과였다. HBM3E는 초당 1.15TB(테라바이트)의 데이터 처리 속도로 AI 메모리 시장을 빠르게 장악했다.

SK하이닉스의 HBM이 이렇게 승승장구하게 된 배경에는 MR-MUF* 기술이 있었다. HBM2E에 처음 적용한 MR-MUF는 성능 향상, 발열 개선, 대량 생산까지 한 번에 해결해 주는 특수 패키징 기술이다. 이후 회사는 더 얇은 칩을 휘어짐 없이 쌓고, 신규 보호재로 방열 특성을 높인 어드밴스드 MR-MUF 기술을 HBM3 12단에 적용하며 SK하이닉스의 HBM을 명품 반열에 올려놓았다.

* MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill): 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정

당시 HBM 개발진은 ‘세대마다 성능은 50% 높이고, 전력 소모는 유지한다’는 목표로 개발에 전념했다. 불가능으로 여겨졌던 이 목표를 달성하고자 패키징 조직과 HBM 개발 조직 등 전 부서가 힘을 합쳤다. 각 분야 전문가들은 문제 해결 설루션을 즉각적으로 내놓으며 기술 개발에 협력했다. 차원이 달랐던 SK하이닉스의 HBM3E는 이러한 원팀 협력을 통해 세상에 나올 수 있었다.

원팀 스피릿으로 글로벌 AI 시장 완전 접수

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글로벌 AI 시장을 접수하기 위한 SK하이닉스의 독주는 2025년에도 계속됐다. 회사는 지난 3월 세계 최초로 HBM4(6세대) 12단 샘플을 고객사에 공급했다[관련기사]. 16년의 기술 노하우로 거둔 성과였다.

SK하이닉스는 HBM4의 개발 기간을 단축하면서도 높은 성능을 구현했다. 이 제품은 초당 2TB의 데이터를 처리하는 놀라운 속도를 자랑한다. 이는 FHD(Full-HD) 급 영화(5GB) 400편 이상의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이며, 전 세대 대비 60% 빨라진 속도다. 이로써 회사는 ‘세대마다 50% 이상의 성능 향상을 이룬다’는 목표를 또 한번 달성했다.

비결은 역시 원팀 스피릿이었다. 이번에도 구성원들은 난제 해결을 위해 머리를 맞댔고, 설루션을 공유하며 호흡을 맞췄다. 더불어 회사는 원팀 스피릿을 기업 간 협력으로 한 차원 더 확장했다. SK하이닉스는 베이스 다이(Base-Die)에 글로벌 파운드리 업체의 로직(Logic) 공정을 도입, HBM 성능과 전력 효율을 끌어올린다는 계획이다. 구성원 협력에 글로벌 협력까지 더해 혁신의 기반을 강화한 것이다.

원팀의 시너지를 보여줄 HBM4는 올해 하반기 양산을 앞두고 있다. 회사는 이를 통해 기술 경쟁력을 입증하고, AI 메모리 시장에서의 우위를 공고히 할 계획이다. HBM4를 비롯한 SK하이닉스의 AI 메모리가 앞으로 얼마나 더 큰 파급력으로 시장을 넓혀 나갈지, 다시 한번 기대가 모이고 있다.

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