3편에서는 업계 최고 수준인 SK하이닉스의 미세공정 역량을 살펴보고, D램 산업을 이끌어온 원팀 스피릿이 발현된 순간들을 되돌아본다.

미세공정, 반도체 혁신의 ‘핵심 오브 핵심’

반도체 회로를 작게 만드는 미세공정은 기술 혁신에 있어 선택이 아닌 필수로 여겨져 왔고, 오늘날에도 중요한 경쟁력으로 꼽힌다.

미세공정이 중요한 이유는 반도체 성능 및 생산성과 직결되기 때문이다. 이 기술을 통해 반도체가 작아지면 같은 크기의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산하는 것이 가능해진다. 또한, 하나의 칩 안에 집적할 수 있는 트랜지스터 수가 늘어나 동일 면적에서의 데이터 처리 능력이 높아진다. 뿐만 아니라, 트랜지스터 등 소자의 크기가 작아져 칩 전체의 소비 전력과 발열량이 감소한다.

이처럼 처리 속도, 에너지 효율, 신뢰성까지 모두 끌어올리는 미세공정 기술을 SK하이닉스는 ‘원팀 스피릿’을 통해 세계 최고 수준으로 구현하고 있다.

기술 한계란? 결국 돌파해 내는 것

SK하이닉스가 걸어온 미세공정 기술개발의 역사는 ‘한계’와의 싸움, 그 자체였다. 1983년 처음 반도체 산업에 발을 들인 SK하이닉스는 후발주자였음에도 불과 4년 만인 1987년, 머리카락 100분의 1 정도로 얇은 1마이크론(μm)* 공정 개발에 성공했다.

* 마이크론(μm): 100만분의 1m(미터). 수치가 낮을수록 미세화 정도가 높아짐

회사는 여기서 멈추지 않고 연구개발과 투자를 이어가며 1997년 외환위기(IMF) 속에서도 머리카락 두께의 800분의 1 수준인 0.18마이크론 공정을 개발해 다시 한번 업계를 놀라게 했다.

미세공정은 계속해서 발전을 거듭해 오다 2000년대에 들어서는 10억분의 1미터(m)인 나노(nm) 단위에 이르게 된다. SK하이닉스는 회로 선폭을 더 얇게 줄이며 2006년 60나노급, 2009년 40나노급, 2010년 30나노급, 2012년 20나노급, 2018년 10나노급으로 기술력을 계속 고도화해 왔다.

그동안 업계에서는 2년마다 집적도(미세화)가 2배씩 높아진다는 ‘무어의 법칙(Moore’s Law)’이 통용되어 왔지만, 공정 난이도가 높아지면서 기술이 한계에 다다랐다는 우려가 커졌다.

SK하이닉스는 도전을 멈추지 않고 개발에 매진한 결과, 2024년 세계 최초로 10나노급 6세대(1c)* 기술을 확보하는 데 성공[관련기사]했다. 10나노 초반의 극미세화된 공정인 1c 기술은 무려 머리카락 두께의 1만분의 1 수준이며, 이를 기반으로 SK하이닉스는 성능 면에서 이전 세대인 1b 대비 동작 속도는 11%, 전력 효율은 9%의 개선을 이뤄냈다.

* 10나노급 6세대(1c): 10나노급 D램 공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b-1c 순으로 개발됨

1c D램 개발이 더욱 특별한 이유는 기술적 난이도가 급격히 높아지는 분기점이기 때문이다. 단순히 회로를 미세하게 그리는 차원을 넘어, 원자 단위의 물리적 한계, 전자 이동의 불확실성, 데이터 신호의 간섭 문제 등 수많은 난제가 여기서 발생한다. 이를 극복하기 위해 SK하이닉스는 광원의 파장이 짧아 더 세밀하게 회로를 그릴 수 있는 ‘극자외선(EUV)’ 노광 기술을 적극 도입하는 등 미세 패턴 형성의 정확도를 끌어올리며 1c 기술 개발에 성공했다.

이 밖에도, SK하이닉스는 D램 속도 성능을 높여주는 DDR(Double Data Rate) 기술을 업그레이드해 왔다. ▲1998년 64메가비트(Mb) SDRAM 양산 ▲2003년 세계 최초 1기가비트(Gb) DDR2 개발 ▲2007년 세계 최초 DDR3 인증 획득 ▲2009년 세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발 ▲2011년 30나노급 2Gb DDR4 D램 개발 ▲2013년 업계 최초 20나노급 LPDDR4 D램 개발 ▲2018년 10나노급 2세대 16Gb DDR5 D램 개발 ▲2020년 세계 최초 DDR5 D램 출시 등 회사는 시장을 선도하는 기록을 경신해 왔다.

이처럼 기술의 벽을 넘기 위해 SK하이닉스가 계속해서 앞으로 나아가게 한 원동력은 바로 모든 구성원이 하나로 뭉치는 원팀 스피릿이었다.

완벽한 하모니로 이뤄낸 역사적 성과

미세공정은 특정 조직이나 한 사람의 개인기만으로 개발할 수 있는 것이 아닌, 다양한 구성원들의 노력을 통해 완성되는 기술이다. 손톱만 한 칩 안에 캐패시터와 트랜지스터 등의 소자를 수십억 개 이상 구현해야 하고 이것들이 제대로 작동하게 하려면, 여러 분야의 전문가들이 한 몸처럼 움직여야 한다.

그중에서도 이 분야 선행 기술 확보는 SK하이닉스 미래기술연구원, D램 제품 기획 및 개발 등의 조직에서 담당한다. 이들은 미지의 영역을 개척하는 첨병 역할을 맡고 있다. 세상에 공개된 기술은 이미 수년 전부터 이들의 치열한 고민과 검토를 거쳤으며, 1c 기술의 태동도 바로 이곳에서부터 시작되었다.

이 기술을 실물로 구현하는 제조공정 조직의 책임도 막중하다. 회로를 작게 그리기 위해서는 웨이퍼에 패턴을 정밀하게 새기는 노광공정을 거쳐야 한다. 최근 극자외선(EUV) 공정으로 더 미세한 패터닝이 가능해졌고, 그만큼 반도체 집적도가 더 높아지고 있다.

이처럼 얇아진 회로를 입체적으로 구현하려면 식각공정을 통해 주변부를 정밀하게 깎아내는 작업이 필요하다. 이 공정은 미세화를 위해 꼭 필요한 부분만 남기는 과정인 만큼, 한번 잘못되면 되돌리기가 어려워 제품 수율과 품질에 직접적인 영향을 끼친다.

웨이퍼 위에 전기적 특성을 띠는 박막을 입혀 다음 공정의 ‘판’을 깔아주는 증착 공정도 중요하다. 특히, 초미세 회로를 구현하기 위해 원자 단위로 박막을 조절하는 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 방식 등이 여기서 사용된다.

또, 미세한 패턴 위에 필요한 물질(이온)을 정확한 위치와 깊이로 주입하는 확산 공정, 웨이퍼 상에 더 작은 불순물을 완벽하게 제거하고 표면을 정교하게 연마하는 세정 및 평탄화 공정 등이 전체에서 중요한 몫을 차지한다. 이어, 새로운 기술이 정상 작동할 수 있도록 칩 간 전기적 연결, 칩 내부 발열 제어, 제조된 샘플의 동작 테스트 등을 수행하는 P&T(Package & Test) 공정이 미세화의 한계를 넘어서는 키(Key)가 되어주고 있다.

하나의 제품이 바깥세상으로 나오기까지 이 과정은 수백 번씩 교차로 반복되고 있으며, 여기서 생기는 단 한 번의 실수는 기술의 성패를 좌우하는 결정적 요소로 작용한다. 모든 조직은 완벽에 가까운 정교함을 유지해야 하고, 서로 끊임없이 소통, 보완하는 것이 중요하다. SK하이닉스가 세계 최초로 1c 개발에 성공할 수 있었던 가장 큰 요인이 구성원들의 원팀 스피릿이라고 평가 받는 이유다.

1c 기술은 이전 세대보다 뛰어난 성능과 품질, 생산 효율성 등을 제공하며 또 다른 메모리 혁신을 이끌 것으로 전망된다. 또, AI 메모리인 HBM을 비롯해 서버 및 데이터센터용 모듈, 모바일용 LPDDR, 그래픽용 GDDR 등 모든 차세대 D램 제품군에 적용될 수 있어 앞으로 시장에서의 파급 효과가 클 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 현재 수준에 머무르지 않고, 전사 조직이 원팀으로 뭉친 협업 체계를 기반으로 미세공정 기술력을 계속 고도화하고 있다. 이를 통해 회사는 D램 시장 리더십과 함께 고객으로부터 가장 신뢰받는 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’ 위상을 강화해 나간다는 계획이다.

제52회 상공의 날 기념 행사에서 대통령 표창을 받은 SK하이닉스 장태수 부사장(미래기술연구원 산하 담당)

SK하이닉스 장태수 부사장(미래기술연구원 산하 담당)이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소(이하 대한상의)에서 열린 ‘제52회 상공의 날’ 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 회사는 밝혔다.

상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다.

이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c)* 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다고 SK하이닉스는 말했다.

뉴스룸은 SK하이닉스 방승현, 최수형 앰버서더와 함께 장 부사장을 만나 수상 소감과 향후 계획을 자세히 들어봤다.

“파급력 높은 1c DDR5 D램 개발, 모든 구성원 합심한 성과”

대통령 표창의 영예를 안은 장태수 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.

특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장(Saddle) 모양의 FinFET*인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날, 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다.

‘1c D램 개발 TF’에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다[관련기사]. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다.

수상 소감을 묻는 최수형 앰버서더의 질문에 장 부사장은 “모두가 함께 이룬 성과”라며 구성원들에게 공을 돌렸다.

“선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과입니다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각합니다. 이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전합니다.”

“D램 기술 주도권 확보, 초기 수요 선점 기대해”

이번 성과가 의미 있는 이유를 방승현 앰버서더가 묻자 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라고 설명했다.

▲ (첫 번째 사진) 장태수 부사장(오른쪽)을 인터뷰하고 있는 방승현(가운데), 최수형(왼쪽) SK하이닉스 앰버서더

“메모리의 경우 최소 회로 선폭 기술을 통해 고성능 제품을 구현할 수 있는데요. 이 기술을 가장 먼저 개발하는 것은 중요한 의미를 갖습니다. 초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있기 때문입니다. 동일 면적의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 확보 가능합니다. 이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것입니다.”

아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다.

“D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있는데요. 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있다는 이야기죠. 또한, 셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있습니다. 미세화를 통해 작아진 칩과 감소된 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 냅니다. 이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속화할 것으로 예상합니다.”

“실패를 공유해 성장하는 조직… 차세대 기술에서도 1등 리더십 보여줄 것”

시장을 선도하는 혁신의 원동력을 묻는 최수형 앰버서더의 질문에 장 부사장은 “원팀(One Team) 문화를 조성하고 실패를 공유하며 기술 한계를 돌파하는 리더십”이라고 말했다.

“하나된 소통을 통해 서로의 실패를 공유하고 그것을 교훈 삼아 성장하는 문화를 조직에 내재화했습니다. 1c DDR5 D램은 이 문화 속에서 완성될 수 있었다고 생각합니다.”

장 부사장은 “앞으로 마주할 수많은 어려움 속에서도 자신감을 잃지 말고 힘을 합친다면 반드시 값진 성과로 돌아올 것으로 믿는다”며 “원팀과 실패 공유의 문화를 지속해서 실천하는 것이 중요하다”고 강조했다. 아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다.

“데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율* 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있습니다. 또, 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중입니다. 이밖에 새로운 소재를 개발해 셀과 셀이 가까워지면서 발생하는 간섭 현상을 개선하는 등 다양한 노력을 펼치고 있죠. 앞으로도 지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 1등 위상을 공고히 하는 데 최선을 다할 것입니다.”

▲ 제59회 발명의 날 기념식 포상에서 철탑산업훈장을 수상한 SK하이닉스 D램개발 담당 김종환 부사장(왼쪽)과 국무총리표창을 수상한 D램코어디자인 김웅래 팀장(오른쪽)

SK하이닉스가 21일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 ‘제59회 발명의 날 기념식’에서 김종환 부사장(D램개발 담당)이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 수상했다고 22일 밝혔다.

특허청은 매년 발명의 날(5월 19일)을 맞아 국가 산업 발전을 이끈 유공자들에게 정부 포상을 시행하며, 공적에 따라 산업훈장·산업포장·대통령표창·국무총리표창 등을 시상한다.

▲ (앞장) 제59회 발명의 날 기념식 포상에서 철탑산업훈장을 수상한 SK하이닉스 D램개발 담당 김종환 부사장, (뒷장) 시상하는 한덕수 국무총리(가운데 왼쪽)와 김종환 부사장(가운데 오른쪽)

SK하이닉스 D램 기술 개발을 이끌고 있는 김종환 부사장은 AI 메모리 개발 공적으로 철탑산업훈장을 수상했다.

김 부사장은 2021년부터 회사의 D램 개발을 총괄하면서 2022년 6월 AI 메모리인 HBM(고대역폭 메모리) 4세대 제품 HBM3 양산에 성공하고 지난해 8월에는 5세대 제품인 HBM3E를 개발해냈다. 또, 그는 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 지능형 메모리인 PIM(Processing-In-Memory)을 개발하고, 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 제품 성능과 효율성을 동시에 높여주는 CXL(Compute eXpress Link) 메모리를 개발하는 데도 기여했다.

김 부사장은 “첨단 기술력 확보라는 큰 목표를 이루는 데 함께해 준 구성원들에게 감사의 뜻을 전한다”며 “SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯이, 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해 리더십을 이어 나가도록 노력하겠다”고 말했다.

▲ (앞장) 제59회 발명의 날 기념식 포상에서 국무총리표창을 수상한 SK하이닉스 D램코어디자인 김웅래 팀장, (뒷장) 수상자들과 단체 기념사진을 찍고 있는 김웅래 팀장(왼쪽부터 7번째)

국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능 향상과 원가 절감을 이루어낸 공로를 인정받았다. 또, 그는 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 IP(지식재산) 확보에 기여한 점을 높이 평가받았다.

김 팀장은 “회사의 아낌없는 투자와 함께, 구성원들이 원팀(One Team) 마인드로 합심해준 덕분에 이룬 성과”라며 “앞으로도 D램 분야에서 선도적인 기술력을 갖출 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 소감을 밝혔다.

수능을 앞 둔 하루 전 날 경상북도 포항시에서 지진이 발생했습니다. 미세 공정을 다루는 반도체 업계도 안심할 수는 없습니다. 이에 SK하이닉스는 24시간 가동되는 반도체 공정이 중단되지 않도록 미연에 방지하고자 대비 시스템을 마련해 두었는데요. 반도체 공정이 24시간 가동되는 이유와 가능하도록 어떤 대비 시스템들이 있는지 영하이라이터와 함께 지금부터 알아보겠습니다.

반도체 제조공정이 쉬지 않는 이유는?

▲ 전자산업의 ‘쌀’ 반도체

흔히 반도체를 ‘전자산업의 쌀’로 비유합니다. 그만큼 전자산업의 다양한 분야에서 폭넓게 쓰이기 때문입니다. 반도체가 만들어지는 제조 환경 또한 벼를 기르는 과정이라고 표현할 수 있는데요. 물, 영양분, 기후 등의 벼가 잘 자랄 수 있는 환경을 조성해줘야 하듯이 반도체 제조공정 또한 온도, 습도, 압력 등 항상 일정한 상태를 유지하는 것이 중요합니다. 만일 공정이 멈추게 다시 최적화된 공정상태로 회복하려면 길게는 몇 달의 시간이 필요합니다. 또한, 반도체는 수백 단계의 공정을 거치는 제조공정 특성상 한 부분이 멈추면 연쇄적으로 다른 공정에까지 문제가 생기게 되죠.

생산라인에 차질이 생기면 정상화하는 기간 동안 반도체 생산량은 현저히 떨어지고, 시장에 공급되는 반도체 공급량에 차질이 생겨 결국 전자산업에까지 큰 타격을 줄 수도 있습니다. 이러한 특수성에 비춰 볼 때, 반도체 생산라인은 24시간 멈추지 않고 가동되는 것이 중요한데요. SK하이닉스에는 생산라인의 중지를 일으킬 만한 잠재적 위험에 신속히 대응하는 ‘비상 대응 시스템’이 있습니다. 어떠한 요소들이 SK하이닉스의 반도체 생산공정을 24 시간 가동하게 하는지 살펴보겠습니다.

지진에도 끄떡없다! 지진 관리 시스템!

앞서 말했듯이 지진이나 진동과 같은 요소들은 반도체를 생산하는 특수한 미세공정에 치명적입니다. 반도체를 위협하는 지진으로부터 생산라인을 지키기 위해서 SK하이닉스는 어떠한 시스템을 갖추고 있을지 들여다보겠습니다.

하나. 내진설계? 그보다 한 수 위! SK하이닉스의 제진설계

▲ SK하이닉스 반도체 공장 내 설치된 댐퍼 구조물

일상에서 쉽게 접하는 건축물의 지진 대비 방식 대부분은 ‘내진설계’입니다. 지진에 손상 받지 않도록 견딜 수 있는 설계 방식인데요. 반도체 공장은 미세한 공정들이 반복되기 때문에 지진을 견디는 것뿐만 아니라 지진에 의한 진동자체를 줄이는 것도 중요합니다.

이를 위해 SK하이닉스는 반도체 공장 설계 시 내진설계와 함께 한 단계 강화된 ‘제진설계’로 진동에 대비하도록 하였는데요. 건축물에 진동을 줄이는 특수장치인 댐퍼(damper)라는 구조물을 설치함으로써 진동을 감쇠할 수 있도록 대비하였습니다.

둘. 진동에 민감한 장비도 걱정 NO! 공정장비에 설치하는 제진대

▲ SK하이닉스 반도체 공장 내 장비 하단에 설치된 제진대

반도체 공정에 사용되는 장비 중 작은 진동에도 치명적으로 민감한 것이 있습니다. 빛을 통해 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 포토 장비나, 문제가 있는지 검사하는 MI장비 등이 대표적인데요. 이렇게 진동에 민감한 장비를 위해 대비해 SK하이닉스는 제진대를 설치합니다. 제진대는 지면의 진동을 경감시키는 역할을 하는 일종의 받침대로 진동에 민감한 장비를 설치할 자리에 설치하는데요. SK하이닉스는 반도체 생산공정 중에 진동이 발생하더라도 문제가 없도록, 제진대를 설치하고 이 위에 장비를 올려둬 진동에 대비하고 있었습니다.

셋. 지진을 감지하면 잠시 정지! 포토장비의 진동감지 시스템

▲ 반도체 제조공정에 사용되는 포토장비 (출처 : ASML 홈페이지)

웨이퍼 위에 빛을 통해 미세한 회로를 그려 넣는 포토공정은 미세한 움직임에도 예민한 공정 중 하나인데요. 이러한 포토장비에도 지진에 대비한 시스템이 마련되어 있습니다. 진동을 감지하면 웨이퍼와 장비의 피해를 막기 위해 포토장비 스스로 가동을 중단하고, 문제가 없다고 판단되면 다시 정상 가동하게 됩니다.

실제로 이번 포항 지진 시에도 몇 개의 포토장비가 진동을 감지해 일시 정지했고, 신속한 점검 뒤 다시 정상 가동했었죠. 덕분에 지진에 의한 SK하이닉스 반도체 공정피해는 없었다고 하니, 이렇게 지진 같은 진동에 만반의 준비를 한 SK하이닉스를 만나볼 수 있었습니다.

만약 전기가 끊긴다면? 전기 관리 시스템!

멈추지 않고 열심히 돌아가는 SK하이닉스의 반도체 공정, 갑자기 정전이 된다면 어떻게 될까요? 생산장비의 가동이 멈추고, 장비가 작업하고 있던 웨이퍼에 결국 불량이 발생할 것 같은데요. 이러한 궁금증을 해결하기 위해 SK하이닉스의 ‘전기 관리 시스템’을 알아보았습니다.

하나. SK하이닉스 두 개의 심장! 청운 & 아미 변전소

SK하이닉스 이천 캠퍼스 내 청운 변전소 주 변압기를 이건희 영하이라이터가 소개하고 있다.

SK하이닉스 반도체 공장 내 GIS(가스절연개폐장치)

SK하이닉스 이천캠퍼스에는 전원을 공급해주는 아미변전소와 청운변전소가 있습니다. 두 변전소에서는 외부에서 공급받은 전기를 사용할 수 있도록 전압을 낮춰 캠퍼스 곳곳에 전기를 공급하고 있는데요. SK하이닉스 캠퍼스 안에 변전소가 두 군데나 있는 이유는 무엇일까요? 바로 변전소 자체가 정전대비를 위해서인데요. 만약 캠퍼스에 변전소가 하나인데, 이곳에 문제가 생기면 캠퍼스 전체가 암흑으로 뒤덮이겠죠. 그래서 SK하이닉스에서는 캠퍼스 변전소 두 곳이 각각 다른 곳에서 전기를 공급받아 만일의 사태에 대비하고 있습니다. 한 변전소에 문제가 생기더라도 전기공급이 필수적인 장비에는 다른 변전소에 전기를 공급할 수 있게 하기 위해서죠.

이렇게 두 개의 변전시스템이 갖춰져 있더라도, 정전 발생 시 일어나는 문제를 24시간 해결할 수 있는 시스템이 따로 필요할 것 같은데요. 정전에는 크게 캠퍼스 외부와 내부에 의한 정전 이렇게 두 종류로 나눌 수 있었습니다. 정전의 원인에 따라서 대응하는 시스템이 달랐는데요. 어떠한 정전 대비 시스템들이 갖춰져 있는지 확인해 보겠습니다.

둘. 외부 정전 해결사! 3단계로 구분된 전원등급 시스템

UPS(Uninterruptible Power Supply, 무정전 전원 장치)

VC(Active Voltage Conditioner, 전압 강하 보상 장치) (출처: ABB 블로그)

반도체 공정을 수행하는 장비들은 종류에 따라서 공급받는 전원의 등급도 달라집니다. SK하이닉스에서는 총 3단계의 전원등급 시스템으로 각종 장비를 관리하고 있었는데요. 단지 내에서 일반적으로 사용하는 등급의 ‘상용전원’, 장마철에 자주 발생하는 형광등이 잠깐 깜빡였다가 복구되는 정도의 순간적인 정전을 관리하는데 사용되는 ‘AVC 전원’, 전기가 끊기더라도 자체 배터리를 통해 전기를 생산/공급하는 ‘UPS 전원’입니다. 천재지변이나 사고에 의해 외부에서 전기공급에 차질이 생긴다고 해도 장비에 공급되는 전류에 문제가 없도록 장비의 특성에 맞게 공급하는 3단계 맞춤형 전원공급 시스템으로 해결하고 있었습니다.

셋. 캠퍼스 내부 정전 해결사! 자동절체시스템

▲ SK하이닉스 캠퍼스 내 배전 설비

외부에 의한 문제가 아닌 캠퍼스 내부의 전기 선로에 발생한 고장이라면 어떻게 대처할까요? 만약 캠퍼스 내부 어느 지점에 문제가 생기면 모든 전기가 문제가 생긴 방향으로 쏠려가는 현상이 발생하게 됩니다. 이는 전류는 저항이 낮은 곳으로 흐르려는 성질이 있기 때문인데요. 반도체 특성상 찰나의 정전이라도 반도체 공정에 심각한 피해를 줄 수 있습니다. 이러한 사고에 대비해 SK하이닉스에서는 캠퍼스 전역에 전기 선로 지점에 문제가 발생할 때, 이를 빠르게 분리해 다른 방향으로 전류가 흐르게 하는 ‘자동절체시스템’을 갖추고 있었습니다. 자동절체시스템을 통해 급작스러운 정전과 같은 만일의 사태에 대비함으로써 반도체 공정이 쉬지 않고 가동할 수 있도록 잘 유지하고 있었습니다.