SK하이닉스가 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM4* 개발을 성공적으로 마무리하고, 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨

회사는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며, “이를 통해 당사의 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 밝혔다.

개발을 이끈 SK하이닉스 조주환 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것”이라며, “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것”이라고 밝혔다.

AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭* 메모리 수요가 최근 급증하고 있다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 설루션(Solution)이 될 것으로 내다봤다.

* 대역폭(Bandwidth): HBM 제품에서 대역폭은, HBM 패키지 1개가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 뜻함

새롭게 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2,048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것이다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했다.

회사는 또 이 제품에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC* 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었다.

* JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council): 반도체 기기의 규격을 규정하는 반도체 분야 표준화 기구인 국제반도체표준협의기구

회사는 HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF* 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다.

* MR-MUF: 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가. 특히, SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어(Warpage control)도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있음

SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO, Chief Marketing Officer)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며, “당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급하여 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했다.

SK하이닉스가 세계 최초로 양산한 모바일용 낸드 설루션 제품인 ‘ZUFS 4.1’을 고객사에 공급한다고 11일 밝혔다.

회사는 “이번 제품이 글로벌 고객사의 최신 스마트폰에 탑재됨에 따라 글로벌 시장에서 당사 기술력의 우수성을 다시 한 번 입증할 수 있게 됐다”며 “스마트폰의 강력한 온디바이스 AI 구현 능력을 지원해 사용자들에게 혁신적인 경험을 선사하겠다”고 강조했다.

SK하이닉스는 고객과의 긴밀한 협업을 통해 이 제품에 대한 인증 절차를 올해 6월에 성공적으로 완료했다. 이를 바탕으로 7월부터 본격적인 양산에 착수하여 공급을 시작했다.

ZUFS(Zoned UFS)는 데이터를 용도와 특성에 따라 서로 다른 공간(Zone)에 저장하는 존 스토리지(Zoned Storage) 기술을 UFS*에 적용한 확장 규격**이다.

* UFS(Universal Flash Storage): 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에 사용되는 고속 플래시 메모리 저장장치 규격. 2011년 UFS 1.0을 시작으로 2.0(2013년), 2.1(2016년), 3.0(2018년), 3.1(2020년), 4.0(2022년), 4.1(2025년) 등으로 발전해왔으며, 각 버전마다 데이터 전송 속도와 전력 효율성이 크게 향상됨

** ZUFS는 JEDEC(제덱)에서 2023년 UFS의 확장 규격 형태로 최초 발표, 2025년 UFS4.1 JEDEC 규격 기반한 ZUFS4.1 개발을 완료함

이 제품을 스마트폰에 탑재하면 OS 작동 속도가 향상되고, 데이터 관리 효율성이 개선된다. 그 결과 장기 사용시 읽기 성능 저하 현상이 4배 이상 완화되어 앱 실행 시간을 기존 UFS 대비 45% 단축할 수 있다. 데이터 저장 방식도 UFS는 새로운 데이터를 기존 데이터 위에 덮어서 저장하는 반면, 이 제품은 순차적으로 기록하도록 설계되어 AI 앱 실행 시간을 47% 단축시켰다.

이러한 성능 특성은 이 제품이 온디바이스 AI와 대용량 데이터 처리가 핵심이 된 현재 모바일 환경에 최적화된 설루션으로 평가받는 배경이다.

아울러 회사는 이번 제품의 오류 처리 능력을 지난해 5월 개발한 4.0 버전 대비 대폭 강화했다. 오류를 더욱 정밀하게 감지한 뒤 중앙 제어 장치에 필요한 조치사항을 명확하게 전달함으로써, 시스템의 신뢰성과 복구 능력이 크게 향상될 것으로 기대된다.

SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO, Chief Marketing Officer)은 “이번에 성공적으로 공급을 시작한 ZUFS 4.1은 안드로이드 운영체제와 저장장치를 최적화 하기 위한 협업을 통해 개발 양산한 최초 사례로 활용 범위가 확대될 것이다”라며, “앞으로도 고객이 요구하는 낸드 설루션을 적시에 공급하는 한편, 글로벌 기업들과 파트너십을 지속 강화해 AI 메모리 분야에서 차별화된 경쟁력을 구축해 나가겠다”고 말했다.

▲ SK하이닉스-네이버클라우드 MOU 체결(오른쪽 SK하이닉스 안현 개발총괄 사장, 왼쪽 네이버클라우드 김유원 대표이사 사장)

SK하이닉스가 ‘AI 설루션 제품* 개발 역량 강화’를 위해 네이버클라우드와 협력하기로 했다고 10일 밝혔다.

양사는 전날(9일) 열린 업무협약식에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했고, 회사는 네이버클라우드와 협업해 실제 AI 서비스 환경에서 차세대 AI 메모리, 스토리지 제품에 대한 성능 평가와 최적화를 추진한다.

SK하이닉스는 ”글로벌 시장에서의 AI 설루션 기술 리더십을 강화하기 위해 실제 데이터센터 운영 환경에서 검증된 제품 확보는 필수적”이라며 “네이버클라우드와의 개발 협력 파트너십을 통해 데이터센터에 최적화된 AI 설루션 제품을 구현하고, 고객이 체감할 수 있는 혁신적 활용 사례를 지속 발굴해 나가겠다”고 강조했다.

최근 생성형 AI 서비스가 폭발적으로 확산되면서 AI 추론 과정에서 처리되는 토큰* 사용량과 비용이 기하급수적으로 증가하고 있다.

이로 인해 메모리의 대역폭과 용량에 대한 요구는 물론, 데이터센터에 적용된 메모리 등 하드웨어와 소프트웨어 간 최적화가 AI 서비스의 경쟁력을 좌우하는 핵심 차별화 요소로 대두되고 있다.

이번 협력을 통해 SK하이닉스는 네이버클라우드의 대규모 데이터센터 인프라에서 CXL*과 PIM** 등 자사의 AI 특화 제품군을 다양한 워크로드 조건에서 실시간으로 검증하고 성능을 극대화할 방침이다.

네이버클라우드는 검증된 고성능 메모리, 스토리지 설루션을 활용해 AI 서비스의 응답속도 향상, 운영비용 절감 등 실질적 성과를 도출하는 윈-윈(Win-Win) 협력을 추진해 나갈 계획이다.

네이버클라우드 김유원 대표이사 사장은 “AI 서비스 경쟁력은 소프트웨어를 넘어 데이터센터 인프라 전반의 최적화에서 결정된다”며 “글로벌 AI 메모리 대표 반도체 기업과의 협업을 통해 인프라부터 서비스까지 아우르는 경쟁력을 강화하고, 고객에게 보다 혁신적인 AI 경험을 제공하겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 “실제 상용 환경에서의 엄격한 검증을 거쳐, 글로벌 AI 생태계가 요구하는 최고 수준의 메모리 설루션을 제공해 AI 메모리 선도 기업의 위상을 공고히 하겠다”며 “이번 협력을 시작으로 글로벌 CSP(Cloud Service Provider) 고객들과의 기술 파트너십도 적극 확대해 나갈 것”이라고 말했다.

▲ SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 ‘High NA EUV’ 장비를 이천 M16팹에 반입하고 기념 행사를 진행했다.
(사진 왼쪽 다섯 번째부터 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 김성한 부사장(구매 담당), 차선용 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당)

SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 ‘High(하이) NA EUV’* 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다.

이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다.

SK하이닉스는 “치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”며, “파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다”고 밝혔다.

반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 계획이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대했다.

ASML코리아 김병찬 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 전했다.

▲ High NA EUV 장비 도입 기념 행사에서 축사를 진행중인 SK하이닉스 차선용 부사장(미래기술연구원장, CTO)

SK하이닉스 차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 구현해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스가 업계 최초로 ‘High-K EMC(Epoxy Molding Compound)*’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다.

* EMC(Epoxy Molding Compound): 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도도(Thermal conductivity)**를 높인 것을 뜻함
** 열전도도(Thermal conductivity): 물질이 열을 얼마나 잘 전달하는지를 나타내는 물리적 특성으로, 단위 시간 동안 특정 물질을 통해 얼마나 많은 열이 이동하는지를 뜻함

회사는 “온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다”며, “이번 제품으로 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다”고 밝혔다

최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(Application Processor)* 위에 D램을 적층하는 PoP(Package on Package)** 방식을 적용하고 있다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키는 장점을 제공한다. 하지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 야기한다.

* 모바일 AP(Application Processor): 스마트폰, 태블릿 등 모바일 기기에서 두뇌 역할을 하는 반도체 칩. 연산, 그래픽, 디지털 신호처리 등 한 개의 칩에 완전 구동이 가능한 제품과 시스템이 들어 있는 시스템온칩(System on Chip, SoC) 형태의 중앙처리장치
** PoP(Package on Package): 모바일 제품에 많이 사용되는 대표적인 적층 패키지로, 각각 다른 종류의 반도체 패키지를 위아래로 쌓아 공간 효율, 성능 향상, 조합 유연성을 꾀하는 방식

SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발한 것이다.

이를 통해 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰으며, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다.

향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다. 이러한 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다.

SK하이닉스 이규제 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.

SK하이닉스가 321단 2Tb(테라비트) QLC* 낸드 플래시 제품의 개발을 완료하고 양산에 돌입한다고 25일 밝혔다.

* 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음

회사는 “세계 최초로 300단 이상 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다”며, “현존하는 낸드 제품 중 최고의 집적도를 가진 이 제품으로 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장을 본격 공략하겠다”고 강조했다.

SK하이닉스는 이번 제품의 원가경쟁력 우위를 극대화하기 위해 용량을 기존 제품 대비 2배 늘린 2Tb로 개발했다.

일반적으로 낸드는 용량이 커질수록 하나의 셀에 더 많은 정보를 저장하고, 메모리 관리가 복잡해져 데이터 처리 속도가 느려지는 문제가 발생한다. 회사는 대용량화로 인한 성능 저하를 해결하기 위해 낸드 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 그룹의 단위인 플레인(Plane)*을 4개에서 6개로 늘려 더 많은 병렬 작업이 가능하도록 했다.

* 플레인(Plane)은 하나의 칩 내부에서 독립적으로 동작할 수 있는 셀과 주변부 회로를 말함. 이를 4개에서 6개로 늘려 데이터 처리 성능(Data Bandwidth) 중 하나인 동시 읽기 성능이 개선됨

그 결과 이번 제품은 높은 용량과 함께 이전 QLC 제품 대비 크게 향상된 성능을 구현했다. 데이터 전송 속도는 100% 빨라졌고, 쓰기 성능은 최대 56%, 읽기 성능은 18% 개선됐다. 데이터 쓰기 전력 효율도 23% 이상 증가해 저전력이 요구되는 AI 데이터센터 등의 분야에서도 경쟁력을 확보했다.

회사는 우선 PC용 SSD에 321단 낸드를 적용한 후, 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 UFS 제품으로 적용 영역을 확대해 나간다는 전략이다. 더 나아가 낸드 32개를 한 번에 적층하는 독자적인 패키지* 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 eSSD 시장까지 본격 공략할 방침이다.

* 32DP(32 Die Package): Chip 용량을 늘리기 위해 하나의 Package내에 32개의 Die를 동시에 Packaging하는 방식

SK하이닉스 정우표 부사장(NAND개발 담당)은 “이번 제품 양산 돌입으로 고용량 제품 포트폴리오를 대폭 강화하고 가격 경쟁력까지 확보하게 됐다”며, “폭발적으로 성장하는 AI 수요와 데이터센터 시장의 고성능 요구에 발맞춰 풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로서 더 큰 도약을 이뤄내겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스가 24일 실적발표회를 열고, 올해 2분기 매출액 22조 2,320억 원, 영업이익 9조 2,129억 원(영업이익률 41%), 순이익 6조 9,962억 원(순이익률 31%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. (K-IFRS 기준)

회사는 매출과 영업이익에서 기존 최고 기록이었던 지난해 4분기를 넘어서며 사상 최대 분기 실적을 달성했다.

SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 적극 투자하면서 AI용 메모리 수요가 꾸준히 늘어났다”며 “D램과 낸드플래시(이하 ‘낸드’) 모두 예상을 웃도는 출하량을 기록하면서 역대 최고 실적을 달성했다”고 밝혔다.

이어, “D램은 HBM3E 12단 판매를 본격 확대했고, 낸드는 전 응용처에서 판매가 늘어났다”며 “업계 최고 수준의 AI 메모리 경쟁력과 수익성 중심 경영을 바탕으로 좋은 실적 흐름을 이어왔다”고 덧붙였다.

이 같은 실적으로 2분기 말 현금성 자산은 17조 원으로 전 분기 대비 2조 7천억 원 늘었다. 차입금 비율은 25%, 순차입금 비율은 6%를 기록했으며, 순차입금은 1분기 말보다 4조 1천억 원이나 크게 줄었다.

SK하이닉스는 고객들이 2분기 중 메모리 구매를 늘리면서 세트 완제품 생산도 함께 증가시켜 재고 수준이 안정적으로 유지됐고, 하반기에는 고객들의 신제품 출시도 앞두고 있어 메모리 수요 성장세가 이어질 것으로 내다봤다.

AI 모델 추론 기능 강화를 위한 빅테크 기업들의 경쟁도 고성능, 고용량 메모리 수요를 늘릴 것으로 전망했다. 아울러 각국의 소버린 AI* 구축 투자가 장기적으로 메모리 수요 증가의 새로운 성장 동력이 될 것으로 예측했다.

이에 회사는 HBM3E의 제품 성능과 양산 능력을 바탕으로 HBM을 전년 대비 약 2배로 성장시켜 안정적인 실적을 창출한다는 방침이다. HBM4 역시 고객 요구 시점에 맞춰 적기 공급이 가능하도록 준비해 업계 최고 수준 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다.

더불어 서버용 LPDDR 기반 모듈 공급을 연내 시작하고, 현재 16Gb(기가비트)로 공급하고 있는 AI GPU용 GDDR7은 용량을 확대한 24Gb(기가비트) 제품도 준비할 계획이다. 이같은 회사의 AI 메모리 제품군 다양화로 AI 시장에서의 선도적 지위는 더욱 공고해질 전망이다.

낸드는 수요에 맞춘 신중한 투자 기조와 수익성 중심 운영을 이어가며 향후 시장 상황 개선에 대비한 제품 개발도 지속 추진한다. 특히 QLC 기반 고용량 기업용 SSD(eSSD, enterprise SSD) 판매 확대와 321단 낸드 기반 제품 포트폴리오 구축을 통해 시장 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다.

SK하이닉스 송현종 사장(Corporate Center)은 “내년 수요 가시성이 확보된 HBM 등 주요 제품의 원활한 공급을 위해 올해 일부 선제적인 투자를 집행하겠다”며 “AI 생태계가 요구하는 최고 품질과 성능의 제품을 적시 출시해 고객 만족과 시장 성장을 동시에 이끌어 나가는 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로 성장하겠다”고 말했다.

■ 2025년 2분기 경영실적 비교표 (K-IFRS 기준)

※ 한국채택국제회계기준(K-IFRS)을 적용해 작성되었습니다.
※ 同 실적 발표자료는 외부 감사인의 회계검토가 완료되지 않은 상태에서 작성되었으며, 회계 검토 과정에서 달라질 수 있습니다.

▲ IEEE VLSI 2025에서 진행하는 SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장의 기조연설

SK하이닉스가 일본 교토에서 8일부터 12일까지 진행되는 IEEE VLSI 심포지엄 2025*에서 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표하며 지속 가능한 혁신 방향성을 제시했다.

* IEEE VLSI(Institute of Electrical and Electronics Engineers Very Large Scale Integration) 심포지엄: 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회로, 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최됨. 차세대 반도체, AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표됨

▲ SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO, Chief Technology Officer)

SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO, Chief Technology Officer)은 10일 행사 3일차 기조연설에서 ‘지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology: Towards a Sustainable Future)’를 주제로 발표를 진행했다.

차 CTO는 “현재의 테크 플랫폼*을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다”며, “이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다”고 밝혔다.

* 테크 플랫폼(Tech Platform): 어느 한 세대 제품에만 적용하는 것이 아니라 여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적인 틀을 뜻함

4F²* VG** 플랫폼은 D램의 셀 면적(Cell area)을 최소화하고 수직 게이트(Gate) 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다.

* 4F²(4F Square): D램은 셀(Cell) 단위로 데이터를 저장하는데, 이 셀 하나가 차지하는 면적을 F²라고 표현함. F는 반도체의 최소 선폭(Feature Size)을 뜻함. 따라서 4F²란 한 개의 셀이 2F x 2F 면적을 차지한다는 의미로 한 칩 안에 더 많은 셀을 넣기 위한 고집적 기술임
** VG(Vertical Gate): D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조. 기존에는 게이트가 채널 위에 수평으로 눕혀져 있는 평면구조였음

현재는 6F² 셀이 일반적이지만, 4F² 셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다.

차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, 회사는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침을 밝혔다.

아울러 구조적 혁신을 넘어, 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다.

차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다”며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다.

한편, 행사 마지막 날인 12일에는 SK하이닉스 박주동 부사장(차세대D램 TF 담당)이 발표자로 나선다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.

▲ ‘2024 SK 글로벌 포럼’에서 기조연설을 하고 있는 곽노정 대표이사 사장

SK하이닉스가 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로서의 비전을 함께 실현할 글로벌 인재를 찾아 30일부터 6월 1일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 ‘2025 SK 글로벌 포럼*’을 개최한다.

* SK 글로벌 포럼(SK Global Forum): 미국 내 인재들을 초청해 회사의 성장 전략을 공유하고 최신 기술과 글로벌 시장 동향을 논의하는 자리로, 현지 우수 인재를 발굴하는 기회로 활용하고 있음

SK하이닉스는 “AI 메모리 생태계를 전방위로 확장하기 위해 컴퓨팅 시스템에 대한 역량을 강화할 시점”이라며 “이 분야에서 전문성을 가진 인재들과 교류를 확대하기 위해 올해 포럼에 시스템 아키텍처 세션을 신설했다”고 밝혔다.

특히 올해는 예년과 달리 초청 인재들이 SK하이닉스의 기술력을 한 눈에 파악할 수 있도록 별도의 전시 공간을 마련했다. 회사는 이 곳에 HBM과 고용량 eSSD, LPCAMM2* 등 AI 데이터센터와 온디바이스 AI 설루션 핵심 제품들을 전시한다. 아울러 회사가 쌓아온 기술 리더십과 혁신의 발자취를 소개하는 연혁 게시물도 함께 선보인다.

* LPCAMM2(Low Power Compression Attached Memory Module 2): LPDDR5X 기반의 모듈 설루션 제품으로 기존 DDR5 SODIMM 2개를 LPCAMM2 1개로 대체하는 성능 효과를 가지면서 공간을 절약하고 저전력과 고성능 특성을 구현

작년에 이어 올해 포럼에도 곽노정 대표이사 사장(CEO, Chief Executive Officer)과 김주선 AI Infra 사장(CMO, Chief Marketing Officer), 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer), 차선용 미래기술연구원장(CTO, Chief Technology Officer) 등 C레벨 경영진이 직접 참석해 초청 인재들과 교류에 나선다.

곽 CEO는 개막 기조연설을 통해 AI 시대에 대응하는 회사의 비전과 전략을 제시한다. 안 CDO는 차세대 메모리 기술과 제품 개발 로드맵에 대해 소개할 예정이다.

SK하이닉스 신상규 부사장(기업문화 담당)은 “글로벌 포럼을 통해 꾸준히 우수 인재를 영입하면서 회사의 기술 경쟁력을 강화해 왔다”며 “AI 시대를 이끌어갈 인재 확보 노력을 지속해 SK하이닉스의 르네상스 여정을 이어가겠다”고 말했다.

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 적용한 모바일용 설루션 제품인 UFS 4.1을 개발했다고 22일 밝혔다.

회사는 “모바일에서 온디바이스(On-device) AI를 안정적으로 구현하려면 탑재되는 낸드 설루션 제품 역시 고성능과 저전력 특성을 고루 갖춰야 한다”며 “AI 워크로드*에 최적화된 UFS 4.1 기반 제품을 통해 플래그십 스마트폰 시장에서도 메모리 리더십을 선도하겠다”고 말했다.

최근 온디바이스 AI 수요가 증가하며 기기의 연산 성능과 배터리 효율 간 균형이 중요해지고 있어, 모바일 기기의 얇은 두께와 저전력 특성은 업계 표준으로 자리잡고 있다.

이러한 흐름에 맞춰 회사는 이번 제품의 전력 효율을 이전 세대인 238단 낸드플래시 기반 제품 대비 7% 개선했다. 제품의 두께도 1mm에서 0.85mm로 줄이는 데 성공해, 초슬림 스마트폰에 탑재할 수 있도록 개발했다.

아울러 이번 제품은 UFS 4세대 제품의 순차 읽기* 최대 성능인 4,300MB/s의 데이터 전송 속도를 지원한다. 모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 좌우하는 랜덤(Random) 읽기와 쓰기** 속도도 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상돼 현존하는 UFS4.1 제품에서 세계 최고 성능을 달성했다.

이에 온디바이스 AI 구현에 필요한 데이터를 지연 없이 공급하고, 앱 실행 속도와 반응성을 높여 사용자가 체감하는 성능 향상에 기여할 것으로 기대한다.

회사는 512GB(기가바이트), 1TB(테라바이트) 두 가지 용량 버전으로 개발한 이번 제품을 연내 고객사에 제공해 인증을 진행하고, 내년 1분기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.

SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 “이번 제품 출시를 필두로 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반 소비자용, 데이터센터용 SSD 제품도 연내 개발을 완료할 계획이다”며, “이를 통해 낸드 부문에서도 AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 구축해, ‘풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 입지를 굳건히 하겠다”고 말했다.

▲ 321단 1Tb TLC 4D 낸드플래시를 적용한 모바일용 설루션 제품 UFS 4.1